[發明專利]光刻設備和器件制造方法

有效

• 申請號: 201210082022.8
• 申請日: 2012-03-26
• 公開（公告）號: CN102707574A
• 公開（公告）日: 2012-10-03
• 發明（設計）人: H·沃格;J·G·高森;B·D·帕爾惠斯;F·J·J·范鮑克斯臺爾;李靖高
• 申請（專利權）人: ASML控股股份有限公司;ASML荷蘭有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 吳敬蓮

技術領域

本發明涉及一種光刻設備和一種制造器件的方法。

背景技術

光刻設備是一種將所需圖案應用到襯底上(通常應用到所述襯底的目標部分上)的機器。例如，可以將光刻設備用在集成電路(IC)的制造中。在這種情況下，可以將可選地稱為掩模或掩模版的圖案形成裝置用于生成待形成在所述IC的單層上的電路圖案。可以將該圖案轉移到襯底(例如，硅晶片)上的目標部分(例如，包括一部分管芯、一個或多個管芯)上。典型地，經由成像將所述圖案轉移到在所述襯底上設置的輻射敏感材料(抗蝕劑)層上。通常，單個襯底將包含連續形成圖案的相鄰目標部分的網絡。公知的光刻設備包括：所謂步進機，在所述步進機中，通過將整個圖案一次曝光到所述目標部分上來輻射每一個目標部分；以及所謂掃描器，在所述掃描器中，通過輻射束沿給定方向(“掃描”方向)掃描所述圖案、同時沿與該方向平行或反向平行的方向同步掃描所述襯底來輻射每一個目標部分。還可以通過將所述圖案壓印到所述襯底上，而將所述圖案從所述圖案形成裝置轉移到所述襯底上。

發明內容

在圖案形成裝置的區域中的內部氣體環境可以被控制以減小或防止具有可變的性質的污染物和/或氣體(例如空氣)干擾輻射束和/或圖案形成裝置的敏感元件。內部氣體環境典型地將基本上與外部區域隔離，但是不是完全地密封。具有進入內部氣體環境的出口的氣體供給系統可以被設置和配置成保持內部氣體環境中的過壓。所述過壓驅動從內部氣體環境流出的大致恒定的氣流。大致恒定的外流的氣流幫助防止流入污染物。基本上恒定的氣流可以被引導穿過密封不嚴的密封，例如穿過對置的流限制表面。

圖案形成裝置支撐件可以配置成被沿著特定方向線性地驅動。所述方向可以垂直于投影系統的軸線，其被稱作為Z軸。所述方向可以稱作為Y方向。

支撐件的移動可能增加內部氣體環境的污染水平。例如，支撐件的移動可能增加污染破壞由對置的流限制表面提供的密封的程度。支撐件的移動可能導致在內部氣體環境外面的氣體環境中的不被期望的變化。這樣的變化可能干擾用于測量支撐件的位置的一個或更多的裝置。控制從內部氣體環境流出的氣流的流限制表面可以對驅動支撐件移動的系統(例如磁體系統)的過加熱做出貢獻。

例如期望提供解決一個或更多的上述的問題或與支撐件的移動相關的完全不同的問題的布置。

根據本發明的一個方面，提供了一種光刻設備，包括：支撐件，構造成支撐圖案形成裝置，所述圖案形成裝置能夠在輻射束的橫截面中將圖案賦予輻射束以形成圖案化的輻射束，所述支撐件包括具有第一流限制表面的第一平坦元件；投影系統，配置成將所述圖案化的輻射束投影到襯底的目標部分上；第二平坦元件，包括面對所述第一流限制表面的第二流限制表面；支撐件驅動器，用于驅動所述支撐件相對于所述第二平坦元件移動，其中所述第一流限制表面、所述第二流限制表面或所述第一流限制表面和第二流限制表面兩者包括在所述第一流限制表面和第二流限制表面之間的突起和/或凹陷，其中所述支撐件驅動器配置成相對于所述第二平坦元件沿著特定方向線性地驅動所述支撐件，和其中在所述第一流限制表面和/或第二流限制表面上的突起和/或凹陷布置成提供流阻，在垂直于所述流的第一和/或第二流限制表面的每一單位寬度上的所述流阻對于平行于所述特定方向的流比對于垂直于所述特定方向的流更低。

根據本發明的一個方面，提供了一種光刻設備，包括：支撐件，構造成支撐圖案形成裝置，所述圖案形成裝置能夠在輻射束的橫截面中將圖案賦予輻射束以形成圖案化的輻射束，所述支撐件包括具有第一流限制表面的第一平坦元件；投影系統，配置成將所述圖案化的輻射束投影到襯底的目標部分上；第二平坦元件，包括面對所述第一流限制表面的第二流限制表面；支撐件驅動器，用于驅動所述支撐件相對于所述第二平坦元件移動；和氣體供給系統，配置成供給氣體至所述圖案形成裝置的區域中的內部氣體環境，其中所述光刻設備配置成使得從所述內部氣體環境流出的氣流穿過所述第一和第二流限制表面之間的間隙，所述第一和第二流限制表面布置成引導所述氣流的至少一部分到在使用期間產生熱量的所述支撐件驅動器的部件上。