[發明專利]對超測量源表范圍的漏源擊穿電壓進行測量的裝置及方法有效
| 申請號： | 201210081754.5 | 申請日： | 2012-03-26 |
| 公開（公告）號： | CN103364694A | 公開（公告）日： | 2013-10-23 |
| 發明（設計）人： | 王磊 | 申請（專利權）人： | 上海宏力半導體制造有限公司 |
| 主分類號： | G01R31/12 | 分類號： | G01R31/12;G01R31/26 |
| 代理公司： | 上海信好專利代理事務所(普通合伙) 31249 | 代理人： | 張靜潔;徐雯瓊 |
| 地址： | 201203 上海市浦東*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 測量 范圍 擊穿 電壓 進行 裝置 方法 | ||
1.一種對超測量源表范圍的漏源擊穿電壓進行測量的方法，其特征在于，包含：
步驟1、設置電壓測量范圍在0~±U1之間的第一源-測量單元（SMU1）；?
設置電壓測量范圍在0~±U2之間的第二源-測量單元（SMU2）；
設置電壓測量范圍在0~±U2之間的第三源-測量單元（SMU3）；
配合使用所述的第一、第二源-測量單元，或配合使用所述的第一到第三源-測量單元對場效應管進行漏源擊穿電壓測試，使得測試時所述場效應管的漏極和源極之間的電壓在0?~?a范圍內調整，其中電壓值a?=?|U1|?+?|U2|，且a大于等于該場效應管標稱的漏源擊穿電壓；
步驟2、由所述第二源-測量單元（SMU2），向所述場效應管的源極施加源極電壓US，所述源極電壓US的調整范圍為?-U2?≤US?≤?0；
由所述第二源-測量單元（SMU2）或所述第三源-測量單元（SMU3），向所述場效應管的柵極施加柵極電壓UG，并且，使所述柵極電壓UG與所述源極電壓US的數值相等；
步驟3、由所述第一源-測量單元（SMU1），向所述場效應管的漏極施加一個恒定的、達到特定值的漏極電流ID；?
再由所述第一源-測量單元（SMU1）測量此時所述場效應管的漏極電壓UD；所測得的漏極電壓UD在0?≤UD?≤U1的范圍內；
步驟4、計算測得的所述漏極電壓UD，與給出的源極電壓US的差值，即UDS=UD-US，得到所述場效應管實際的漏源擊穿電壓。
2.如權利要求1所述對超測量源表范圍的漏源擊穿電壓進行測量的方法，其特征在于，所述場效應管的漏極電流ID的特定值是250μA。
3.一種對超測量源表范圍的漏源擊穿電壓進行測量的方法，其特征在于，包含：
步驟1、設置電壓測量范圍在0~±U1之間的第一源-測量單元（SMU1）；?
設置電壓測量范圍在0~±U2之間的第二源-測量單元（SMU2）；
設置電壓測量范圍在0~±U2之間的第三源-測量單元（SMU3）；
配合使用所述的第一、第二源-測量單元，或配合使用所述的第一到第三源-測量單元對場效應管進行漏源擊穿電壓測試，使得測試時所述場效應管的漏極和源極之間的電壓在0?~?a范圍內調整，其中電壓值a?=?|U1|?+?|U2|，且a大于等于該場效應管標稱的漏源擊穿電壓；
步驟2、由所述第二源-測量單元（SMU2），向所述場效應管的源極施加源極電壓US，所述源極電壓US的調整范圍為?-U2?≤US?≤?0；
由所述第二源-測量單元（SMU2）或所述第三源-測量單元（SMU3），向所述場效應管的柵極施加柵極電壓UG，并且，使所述柵極電壓UG與所述源極電壓US的數值相等；
步驟3、由所述第一源-測量單元（SMU1）在0?≤UD?≤U1的范圍內進行電壓掃描，來向所述場效應管的漏極施加漏極電壓UD；?
由所述第一源-測量單元（SMU1）測量所述場效應管的漏極電流ID，再由所述第二源-測量單元（SMU2）測量所述場效應管的源極電流IS；
步驟4、當測得的漏極電流ID和源極電流IS都達到同一個特定值時，停止電壓掃描，并記錄此時所述第一源-測量單元（SMU1）輸出的漏極電壓UD；
計算所述漏極電壓UD與所述源極電壓US的差值，即UDS=UD-US，得到所述場效應管實際的漏源擊穿電壓。
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