[發明專利]一種電流控制型直流降壓電路及降低功耗的方法

有效

• 申請號: 201210081652.3
• 申請日: 2012-03-23
• 公開（公告）號: CN102594144A
• 公開（公告）日: 2012-07-18
• 發明（設計）人: 杜紅越;張煒;張洪波;陳超
• 申請（專利權）人: 上海新進半導體制造有限公司
• 主分類號: H02M3/156
• 分類號: H02M3/156
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 逯長明

1.一種電流控制型直流降壓電路，其特征在于，包括：PSM控制電路；

所述PSM控制電路，用于以所述直流降壓電路中的差錯放大器輸出的COMP電壓信號達到下鉗位電平為觸發條件，輸出控制信號使得驅動級電路驅動功率開關管關斷，并且在所述COMP電壓信號升高退出下鉗位狀態時，對電感電流峰值電流的最小值進行鎖定。

2.根據權利要求1所述的電路，其特征在于，所述PSM控制電路包括：

限流電路和電感電流峰值電流最小值鎖定電路；

所述限流電路，用于鉗位所述電感電流峰值參考電流的最大值；

所述電感電流峰值電流最小值鎖定電路，用于鎖定所述電感電流峰值電流的最小值。

3.根據權利要求2所述的電路，其特征在于，所述限流電路包括：

第一MOS管、第二MOS管和第一電流源；

所述第一MOS管的源極連接電源、漏極連接所述第一電流源的一端、柵極連接所述直流降壓電路的加法電路；

所述第二MOS管的源極連接所述直流降壓電路的加法電路、漏極連接電源、柵極連接所述第一MOS管的漏極；

所述第一電流源的另一端接地。

4.根據權利要求3所述的電路，其特征在于，所述加法電路包括：第三MOS管、第四MOS管、第一電阻和第二電阻；

所述第三MOS管的源極連接電源、漏極連接所述第四MOS管、柵極連接所述限流電路的所述第一MOS管的柵極，所述第三MOS管的柵極與漏極連接；

所述第四MOS管的源極連接相互串聯的所述第一電阻和第二電阻的一端、漏極連接所述第三MOS管的漏極、柵極連接所述差錯放大器的輸出端；

所述相互串聯的所述第一電阻和第二電阻的另一端接地；

所述第一電阻和第二電阻的公共端連接所述限流電路的第二MOS管的源極。

5.根據權利要求4所述的電路，其特征在于，所述電感電流峰值電流最小值鎖定電路包括：第五MOS管、第六MOS管、第二電流源和第三電流源；

所述第五MOS管的源極連接電源、柵極連接所述第三MOS管的漏極、漏極連接所述第二電流源的一端；

所述第六MOS管的源極連接于所述第五MOS管的柵極、柵極連接所述第五MOS管的漏極、漏極連接所述第三電流源的一端；

所述第二電流源的另一端接地，所述第三電流源的另一端接地。

6.根據權利要求5所述的電路，其特征在于，所述電感電流峰值電流最小值鎖定電路還包括補償電容；

所述補償電容，連接于所述第七MOS管的漏極和第六MOS管的漏極之間。

7.根據權利要求4所述的電路，其特征在于，所述電感電流峰值電流最小值鎖定電路包括：第五MOS管、第六MOS管、第七MOS管、第八MOS管、第九MOS管、第十MOS管、第二電流源和第三電流源；

所述第五MOS管的源極連接電源、柵極連接所述第三MOS管的漏極、漏極連接所述第二電流源的一端；

所述第六MOS管的源極連接所述第七MOS管的漏極、柵極連接所述第五MOS管的漏極、漏極連接所述第三電流源的一端；

所述第二電流源的另一端接地，所述第三電流源的另一端接地；

所述第七MOS管的源極連接電源、漏極連接所述第六MOS管的源極、柵極連接所述第八MOS管，所述第七MOS管的源極的柵極與漏極連接；

所述第八MOS管的源極連接電源、柵極連接所述第七MOS管的柵極、漏極連接第九MOS管；

所述第九MOS管的柵極與所述第十MOS管連接、源極接地、漏極連接所述第八MOS管的漏極，所述第九MOS管的柵極與漏極連接；

所述第十MOS管的柵極連接所述第九MOS管的柵極、源極接地、漏極連接所述第五MOS管的柵極。

8.根據權利要求7所述的電路，其特征在于，所述電感電流峰值電流最小值鎖定電路還包括補償電容；

所述補償電容，連接于所述第六MOS管的漏極和第五MOS管的漏極之間。

9.一種降低電流控制型直流降壓電路輕載時功耗的方法，其特征在于，該方法包括：

在所述電流控制型直流降壓電路中加入PSM控制電路；

所述PSM控制電路以所述差錯放大器輸出的COMP電壓信號達到下鉗位電平為觸發條件，輸出控制信號使得驅動級電路關斷功率開關管，并且在所述COMP電壓信號升高退出下鉗位狀態時，對電感電流峰值電流的最小值進行鎖定，電感以峰值為最小鎖定電流向輸出供電。