[發明專利]含碳薄膜中碳元素的去除方法以及SiOC控擋片的再生方法無效
| 申請號： | 201210081514.5 | 申請日： | 2012-03-23 |
| 公開（公告）號： | CN102610562A | 公開（公告）日： | 2012-07-25 |
| 發明（設計）人： | 張景春;顧梅梅;陳建維;張旭升 | 申請（專利權）人： | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/768 | 分類號： | H01L21/768;H01L21/02;H01L21/311 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陸花 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 薄膜 元素 去除 方法 以及 sioc 控擋片 再生 | ||
【權利要求書】：
1.一種含碳薄膜中碳元素的去除方法，其特征在于：采用O3等離子體灰化該含碳薄膜，氧自由基與C元素反應生成CO或者CO2被抽離。
2.如權利要求1所述的含碳薄膜中碳元素的去除方法，其特征在于：所述含碳薄膜為SiOC、SiCN、SiC或者介孔碳薄膜。
3.一種SiOC控擋片的再生方法，其特征在于，所述方法包括：首先，采用O3等離子體灰化SiOC薄膜，氧自由基與C元素反應生成CO或者CO2被抽離，SiOC薄膜生成類似SiO2薄膜；然后，采用氫氟酸濕法刻蝕去除該類似SiO2薄膜。
4.如權利要求3所述的SiOC控擋片的再生方法，其特征在于：所述灰化工藝采用PECVD設備。
5.如權利要求4所述的SiOC控擋片的再生方法，其特征在于：所述灰化工藝的參數為：溫度200～300℃；壓強800～1200mT；O3氣體流量1000～2000sccm。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
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H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
