[發明專利]半導體裝置

有效

• 申請號: 201210081415.7
• 申請日: 2012-03-26
• 公開（公告）號: CN102820271A
• 公開（公告）日: 2012-12-12
• 發明（設計）人: 上田哲也;山口義弘
• 申請（專利權）人: 三菱電機株式會社
• 主分類號: H01L23/29
• 分類號: H01L23/29;H01L23/31;H01L25/00;H01L25/07
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 閆小龍;王忠忠

1.一種半導體裝置，其特征在于，具有：

絕緣基板，具有搭載有至少一個半導體芯片以及至少一個電極的一個主面；

基座板，具有與所述絕緣基板的另一個主面接合的一個主面；以及

傳遞模塑樹脂，以覆蓋所述基座板的所述一個主面、所述絕緣基板、所述至少一個半導體芯片、所述至少一個電極的接合端部并且使所述基座板的另一個主面露出的方式設置，

所述基座板的線膨脹系數低于銅的線膨脹系數，所述傳遞模塑樹脂的線膨脹系數為16ppm/℃以下，

所述傳遞模塑樹脂具有以所述基座板的相對的短邊中央部附近分別露出的方式被挖去的形狀，

所述基座板在利用所述傳遞模塑樹脂的所述被挖去的形狀而露出的各部分具有在厚度方向貫通該基座板的安裝孔。

2.一種半導體裝置，其特征在于，具有：

多個電路單元；以及

外部殼體，容納所述多個電路單元，

所述多個電路單元分別由權利要求1所述的半導體裝置構成，由此，在所述多個電路單元的每一個中設置有所述基座板。

3.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

所述基座板的所述一個主面具有：

接合區域，處于與所述絕緣基板接合的接合范圍；以及

周邊區域，與所述接合區域相比位于該基座板的所述另一個主面的一側。

4.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

所述傳遞模塑樹脂中的所述絕緣基板的所述一個主面上的部分的厚度為5mm以下。

5.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

所述傳遞模塑樹脂中的所述絕緣基板的所述一個主面上的部分的厚度為3mm以上。

6.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

所述至少一個半導體芯片包括將寬帶隙半導體作為基板而構成的半導體芯片。

7.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

所述至少一個電極包括從位于所述絕緣基板的所述一個主面的上方的所述傳遞模塑樹脂的上表面突出的電極。

8.如權利要求2所述的半導體裝置，其特征在于，

所述多個電路單元以能夠進行不同的相位的輸出的方式構成。

9.如權利要求2所述的半導體裝置，其特征在于，

所述多個電路單元以能夠進行相同的相位的輸出的方式構成。