[發明專利]HARP膜的處理方法及金屬前介質層制造方法

無效

• 申請號: 201210081403.4
• 申請日: 2012-03-23
• 公開（公告）號: CN102623325A
• 公開（公告）日: 2012-08-01
• 發明（設計）人: 鄭春生;張文廣;陳玉文
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/3065
• 分類號: H01L21/3065;H01L21/768
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 陸花

1.一種HARP膜的處理方法，其特征在于，包括：

采用氮氣或惰性氣體對HARP膜進行第一次等離子體處理；以及

采用含氧氣體對所述HARP膜進行第二次等離子體處理。

2.如權利要求1所述的HARP膜的處理方法，其特征在于，所述第一次等離子體處理在PECVD或HDPCVD腔室內進行，加熱器溫度在300～500℃之間，反應壓力在1～10Torr之間，所述氮氣或惰性氣體的流量在1000～10000sccm之間，HFRF功率在50～3000W之間，反應時間在5～600秒之間。

3.如權利要求1所述的HARP膜的處理方法，其特征在于，所述第二次等離子體處理在PECVD或HDPCVD腔室內進行，所述含氧氣體為O₂或O₃，加熱器溫度在300～500℃之間，反應壓力在1～10Torr之間，所述O₂或O₃的流量在1000～10000sccm之間，HFRF功率在50～3000W之間，反應時間在5～600秒之間。

4.如權利要求1所述的HARP膜的處理方法，其特征在于，所述第一次等離子體處理和第二次等離子處理在同一腔室內進行。

5.如權利要求1所述的HARP膜的處理方法，其特征在于，所述第一次等離子體處理和第二次等離子處理在不同的腔室內進行。

6.一種金屬前介質層制造方法，其特征在于，包括：

提供一半導體襯底，所述半導體襯底上形成有器件層；

在半導體襯底上依次沉積張應力氮化硅層、HARP膜、PETEOS氧化硅層；

進行化學機械研磨工藝，直至暴露出所述HARP膜的表面；

采用氮氣或惰性氣體對HARP膜進行第一次等離子體處理；以及

采用含氧氣體對所述HARP膜進行第二次等離子體處理。

7.如權利要求8所述的金屬前介質層制造方法，其特征在于，所述第一次等離子體處理在PECVD或HDPCVD腔室內進行，加熱器溫度在300～500℃之間，反應壓力在1～10Torr之間，氮氣或惰性氣體的流量在1000～10000sccm之間，HFRF功率在50～3000W之間，反應時間在5～600秒之間。

8.如權利要求6所述的金屬前介質層制造方法，其特征在于，所述第二次等離子體處理在PECVD或HDPCVD腔室內進行，所述含氧氣體為O₂或O₃，加熱器溫度在300～500℃之間，反應壓力在1～10Torr之間，所述O₂或O₃的流量在1000～10000sccm之間，HFRF功率在50～3000W之間，反應時間在5～600秒之間。

9.權利要求6所述的金屬前介質層制造方法，其特征在于，所述第一次等離子體處理和第二次等離子處理在同一腔室內進行。

10.權利要求6所述的金屬前介質層制造方法，其特征在于，所述第一次等離子體處理和第二次等離子處理在不同的腔室內進行。