[發明專利]功率放大器的末級模塊、功率放大器和磁共振裝置

有效

• 申請號: 201210081314.X
• 申請日: 2012-03-26
• 公開（公告）號: CN102694512B
• 公開（公告）日: 2017-12-26
• 發明（設計）人: A.阿爾布雷克特
• 申請（專利權）人: 西門子公司
• 主分類號: H03F3/20
• 分類號: H03F3/20;G01R33/54;A61B5/055
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所11105
• 代理人: 謝強

1.一種用于功率放大器裝置(26)的末級模塊(1)，其包括：

殼體(2)；

在殼體(2)內部布置的載體(4)，所述載體由不導電但導熱的材料組成；

在所述載體上布置的至少兩個晶體管組件(11)；

在所述載體之中或之上的第一導體結構(17)，所述第一導體結構(17)將至少兩個晶體管組件的漏極輸出端連接到輸出信號；和

至少兩個在所述載體之中或之上的第二導體結構，每個第二導體結構將輸入信號傳導到至少兩個晶體管組件的至少一個柵極輸入端，

其中所述至少兩個晶體管組件的至少一個晶體管組件分別對應于對稱輸入信號的一相，并且

其中在載體(4)內部設置至少一個與至少一個晶體管組件(11)相鄰傳導的冷卻通道(24)，所述第二導體結構(5)被構造為平衡-不平衡轉換器導體結構。

2.根據權利要求1所述的末級模塊，其特征在于，兩個導體結構(5)產生相位偏移了180°的信號作為用于所述晶體管組件(11)的輸入信號。

3.根據權利要求1或2所述的末級模塊，其特征在于，至少一個導體結構(5，17)被實施為多層導體結構，其中在所述載體(4)內設置至少一個承載導體線路(7，8，18，19)的層。

4.根據權利要求1或2所述的末級模塊，其特征在于，在起電感作用的導體結構(5，17)中設置至少一對接頭對(10，21)，以用于連接用于調節所述導體結構(5，17)的導體回路的諧振頻率的外部電容器(25)。

5.根據權利要求4所述的末級模塊，其特征在于，在構造為電感性的平衡-不平衡轉換器導體結構的第二導體結構(5)并且中央耦合控制信號的情況下設置兩對彼此相對布置的接頭對(10)，以用于連接兩個電容器(25)。

6.根據權利要求1或2所述的末級模塊，其特征在于，在所述載體(4)的外側設置至少一個接地的電源導體結構(13)，在所述電源導體結構上電線連接所述晶體管組件(11)的源極輸入端，和/或與至少一個晶體管組件(11)的漏極輸出端相連的導體平面(16)在中央點(22)上具有用于運行電壓的接頭并且經由電容(23)與地線相連。

7.根據權利要求6所述的末級模塊，其特征在于，在第一導體結構(17)的與漏極輸出端相連的導體平面(16)的一側上設置的晶體管組件(11)的源極輸入端的情況下，設置電源導體結構(13)的橋式導體元件，以用于與源極輸入端建立聯系。

8.根據權利要求1或2所述的末級模塊，其特征在于，在所述載體(4)兩側配備晶體管組件(11)。

9.根據權利要求1或2所述的末級模塊，其特征在于，所述晶體管組件(11)通過其漏極輸出端焊接在所述載體(4)的形成部分第一導體結構(17)的導體平面(16)上，并且其柵極輸入端與相應的第二導體結構(5)電線連接。

10.根據權利要求1或2所述的末級模塊，其特征在于，在所述載體(4)的兩側各設置八個晶體管組件(11)，其中具有一個相位的兩個晶體管(11)分別經由載體(4)的導體平面(16)與具有另一個相位的兩個晶體管(11)耦合。

11.根據權利要求1或2所述的末級模塊，其特征在于，所述殼體(2)內側具有起接地平面作用的導體平面(3)，并且所述載體(4)構造為無需接地平面。

12.根據權利要求1或2所述的末級模塊，其特征在于，至少一個冷卻通道(24)在其寬度和位置方面相應于與其相鄰的晶體管組件(11)使得冷卻通道布置在兩個設置在載體相對側的晶體管組件之間，并且在寬度上對應于晶體管組件的寬度。

13.根據權利要求1或2所述的末級模塊，其特征在于，所述載體(4)由氧化鋁陶瓷和/或氮化鋁陶瓷組成。

14.根據權利要求1或2所述的末級模塊，其特征在于，所述末級模塊是用于磁共振裝置(27)的發送單元(30)的功率放大器裝置(26)的末級模塊(1)。

15.根據權利要求7所述的末級模塊，其特征在于，所述橋式導體元件是由科瓦鐵鎳鈷合金組成的橋(14)。

16.根據權利要求8所述的末級模塊，其特征在于，所述載體(4)具有兩側相同的外部結構。