[發明專利]一種基于MEMS加工工藝的柱面電容傳感器

無效

• 申請號: 201210081249.0
• 申請日: 2012-03-26
• 公開（公告）號: CN102607394A
• 公開（公告）日: 2012-07-25
• 發明（設計）人: 王文;文耀華;盧科青;相奎;陳子辰
• 申請（專利權）人: 浙江大學
• 主分類號: G01B7/02
• 分類號: G01B7/02;G01B7/312;B81C1/00
• 代理公司: 杭州求是專利事務所有限公司 33200
• 代理人: 林懷禹

1.一種基于MEMS加工工藝的柱面電容傳感器，由主軸旋轉電極和同軸安裝在主軸旋轉電極外的柱面固定電極構成；其特征在于：

主軸旋轉電極（1）：是在主軸（3）外圓柱面向外依次包覆有第一絕緣層（4）、主軸銅電極（5）和第二絕緣層（6）；

柱面固定電極（2）：是在電極基座（7）內圓柱孔向內依次包覆有第三絕緣層（8）、等電位保護環（9）、第四絕緣層（10）和四個等距嵌在第四絕緣層（10）內圈的四個弧形電極（11）；四個弧形電極（11）的軸向長度相等，圓心角均為60°。

2.根據權利要求1所述的一種基于MEMS加工工藝的柱面電容傳感器，其特征在于：所述的主軸（3）與電極基座（7）材料金屬或者非金屬。

3.根據權利要求1所述的一種基于MEMS加工工藝的柱面電容傳感器，其特征在于：所述的主軸（3）圓柱面上氣相沉積的第一絕緣層（4）和第二絕緣層（6）厚度均為10????????????????????????????????????????????????，主軸銅電極（5）厚度為10；電極基座（7）內圓柱面氣相沉積的第三絕緣層（8）厚度為10，等電位保護環（9）厚度為10，第四絕緣層（10）厚度為20，主軸銅電極厚度為10。

4.根據權利要求1所述的的一種基于MEMS加工工藝的柱面電容傳感器，其特征在于：所述的主軸旋轉電極軸向長度大于柱面固定電極的軸向長度。