[發明專利]薄膜器件及其制造方法和圖像顯示裝置的制造方法

無效

• 申請號: 201210080761.3
• 申請日: 2012-03-23
• 公開（公告）號: CN102738393A
• 公開（公告）日: 2012-10-17
• 發明（設計）人: 福田敏生;石井由威
• 申請（專利權）人: 索尼公司
• 主分類號: H01L51/00
• 分類號: H01L51/00;H01L51/05
• 代理公司: 北京信慧永光知識產權代理有限責任公司 11290
• 代理人: 武玉琴;陳桂香

1.一種薄膜器件的制造方法，所述方法包括以下步驟：

通過涂布法在支撐基底上形成第一基板，所述第一基板是使用樹脂材料形成的；

通過使用熱固性樹脂或能量射線固化型樹脂在所述第一基板上形成第二基板；

在所述第二基板上形成有源元件；并且

從所述第一基板去除所述支撐基底，

其中，用于形成所述第一基板的所述樹脂材料具有至少180℃的玻璃態轉變溫度。

2.根據權利要求1所述的薄膜器件的制造方法，其中，

用于所述第一基板的所述樹脂材料由未固化樹脂材料或未交聯樹脂材料組成，并且

用于所述第二基板的材料包含用于所述第一基板的所述樹脂材料的成分。

3.根據權利要求1所述的薄膜器件的制造方法，其中，相對所述支撐基底的剝離強度在1.0N/cm至4.9N/cm的范圍內。

4.根據權利要求1所述的薄膜器件的制造方法，其中，所述有源元件包括：

第一電極和第二電極；

形成在所述第一電極與所述第二電極之間的有源層；以及

隔著絕緣層與所述有源層面對的控制電極。

5.根據權利要求4所述的薄膜器件的制造方法，其中，

所述有源元件形成為薄膜晶體管，

所述第一電極和所述第二電極用作源極/漏極電極，

所述控制電極用作柵極電極，

所述絕緣層用作柵極絕緣層，并且

所述有源層用作溝道形成區域。

6.根據權利要求1所述的薄膜器件的制造方法，其中，所述有源元件包括：

第一電極和第二電極；以及

形成在所述第一電極與所述第二電極之間的有源層。

7.根據權利要求4-6中任一項所述的薄膜器件的制造方法，其中，使用有機半導體材料來形成所述有源層。

8.根據權利要求1-3中任一項所述的薄膜器件的制造方法，其中，所述有源元件形成為有機電致發光器件或微囊型電泳顯示器件。

9.一種薄膜器件的制造方法，所述方法包括：

通過涂布法在支撐基底上形成第一基板，所述第一基板是使用樹脂材料形成的；

通過使用熱固性樹脂或能量射線固化型樹脂在所述第一基板上形成第二基板；

在所述第二基板上形成有源元件；并且

從所述第一基板去除所述支撐基底，

其中，用于所述第一基板的所述樹脂材料的玻璃態轉變溫度高于所述有源元件的形成期間的加工溫度的最大值。

10.根據權利要求9所述的薄膜器件的制造方法，其中，用于形成所述第一基板的所述樹脂材料具有至少180℃的玻璃態轉變溫度。

11.根據權利要求9所述的薄膜器件的制造方法，其中，相對所述支撐基底的剝離強度在1.0N/cm至4.9N/cm的范圍內。

12.根據權利要求9所述的薄膜器件的制造方法，其中，所述有源元件包括：

第一電極和第二電極；

形成在所述第一電極與所述第二電極之間的有源層；以及

隔著絕緣層與所述有源層面對的控制電極。

13.根據權利要求12所述的薄膜器件的制造方法，其中，

所述有源元件形成為薄膜晶體管，

所述第一電極和所述第二電極用作源極/漏極電極，

所述控制電極用作柵極電極，

所述絕緣層用作柵極絕緣層，并且

所述有源層用作溝道形成區域。

14.根據權利要求9所述的薄膜器件的制造方法，其中，所述有源元件包括：

第一電極和第二電極；以及

形成在所述第一電極與所述第二電極之間的有源層。

15.根據權利要求12-14中任一項所述的薄膜器件的制造方法，其中，使用有機半導體材料來形成所述有源層。

16.根據權利要求9-11中任一項所述的薄膜器件的制造方法，其中，所述有源元件形成為有機電致發光器件或微囊型電泳顯示器件。