[發明專利]低發散角全布拉格反射波導半導體激光器陣列有效
| 申請號： | 201210080117.6 | 申請日： | 2012-03-23 |
| 公開（公告）號： | CN102611002A | 公開（公告）日： | 2012-07-25 |
| 發明（設計）人： | 楊曄;佟存柱;汪麗杰;王立軍;曾玉剛;劉云 | 申請（專利權）人： | 中國科學院長春光學精密機械與物理研究所 |
| 主分類號： | H01S5/22 | 分類號： | H01S5/22 |
| 代理公司： | 長春菁華專利商標代理事務所 22210 | 代理人： | 南小平 |
| 地址： | 130033 吉*** | 國省代碼： | 吉林;22 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 發散 布拉格 反射 波導 半導體激光器 陣列 | ||
【權利要求書】：
1.低發散角全布拉格反射波導半導體激光器陣列，該陣列的縱向結構從下至上依次為：N型襯底(101)、N型限制層(102)、N型布拉格反射波導(103)、有源區(104)、P型布拉格反射波導(105)、P型限制層(106)和P型蓋層(107)，所述縱向結構中N型布拉格反射波導(103)和P型布拉格反射波導(105)分別至少由一對高、低折射率材料周期生長組成，其特征在于，該陣列橫向結構包括電流注入區(201)和電流注入區(201)兩側的橫向布拉格反射波導，所述兩側的橫向布拉格反射波導分別至少由一對高、低脊形結構周期排列組成，所述低脊形部分緊挨電流注入區(201)。
2.根據權利要求1所述的低發散角全布拉格反射波導半導體激光器陣列，其特征在于，所述電流注入區(201)由下至上包括該陣列的整個縱向結構。
3.根據權利要求1所述的低發散角全布拉格反射波導半導體激光器陣列，其特征在于，所述高、低脊形結構包括該陣列的縱向結構從下至上為N型襯底(101)至P型布拉格波導(105)和P型蓋層(107)之間的任意一層結構，所述高脊形結構高于低脊形結構。
4.根據權利要求1所述的低發散角全布拉格反射波導半導體激光器陣列，其特征在于，所述電流注入區(201)為多個。
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