[發明專利]發光器件及包括該發光器件的發光器件封裝

有效

• 申請號: 201210080105.3
• 申請日: 2012-03-23
• 公開（公告）號: CN102983243B
• 公開（公告）日: 2017-08-15
• 發明（設計）人: 鄭明訓;林賢哲;金設禧;崔洛俊
• 申請（專利權）人: LG伊諾特有限公司
• 主分類號: H01L33/38
• 分類號: H01L33/38
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司11219
• 代理人: 夏凱,謝麗娜

1.一種發光器件，包括：

發光結構，所述發光結構包括第一導電類型半導體層、有源層和第二導電類型半導體層，其中，所述第一導電類型半導體層、所述有源層和所述第二導電類型半導體層被設置成在相同方向上彼此鄰近，所述有源層包括交替地堆疊至少一次的阱層和勢壘層，并且所述阱層具有比所述勢壘層小的能帶隙；

掩模層，所述掩模層設置在所述第一導電類型半導體層中；

第一電極，所述第一電極設置在所述第一導電類型半導體層上；以及

第二電極，所述第二電極設置在所述第二導電類型半導體層上，

其中，所述第一導電類型半導體層被形成有至少一個凹部，

其中，所述掩模層包括掩蔽區和與所述掩蔽區區分的窗口區，以及

其中，所述凹部與所述窗口區垂直地重疊，并且不與所述掩蔽區垂直地相重疊。

2.根據權利要求1所述的發光器件，其中，所述第二電極與所述窗口區垂直地重疊且不與所述掩蔽區垂直地重疊。

3.根據權利要求1所述的發光器件，其中，所述凹部設置在所述窗口區和所述有源層之間。

4.根據權利要求1至3中任何一項所述的發光器件，其中，所述掩模層包括SiO₂或SiN中的至少一種。

5.根據權利要求1至3中任何一項所述的發光器件，其中，所述掩模層被構圖為：經構圖的掩模層的水平截面形狀具有預定的形狀。

6.根據權利要求5所述的發光器件，其中，所述掩模層的水平截面形狀包括格子形狀、條紋形狀、圓形形狀、橢圓形形狀或多邊形形狀。

7.根據權利要求1至3中任何一項所述的發光器件，其中，所述發光結構設置在襯底之上，并且所述襯底包括形成在所述襯底的表面處的光提取結構，該光提取結構鄰近于所述發光結構。

8.根據權利要求1至3中任何一項所述的發光器件，進一步包括：

透明電極層，所述透明電極層設置在所述發光結構和所述第二電極之間。

9.根據權利要求8所述的發光器件，其中，所述透明電極層的至少一部分與所述第二電極垂直地重疊。

10.根據權利要求1至3中任何一項所述的發光器件，進一步包括：

電子阻擋層，所述電子阻擋層設置在所述有源層和所述第二導電類型半導體層之間。

11.根據權利要求1至3中任何一項所述的發光器件，其中，所述掩模層具有0.01至1.5μm的厚度。

12.根據權利要求1所述的發光器件，其中，所述窗口區和所述掩蔽區具有1:0.1至10的寬度比。

13.根據權利要求1至3中任何一項所述的發光器件，其中，所述凹部形成在所述第一導電類型半導體層的上表面的、來自所述發光器件的下部的螺旋位錯到達的一部分處。

14.根據權利要求10所述的發光器件，其中，所述電子阻擋層包括AlGaN。

15.根據權利要求1至3中任何一項所述的發光器件，其中，所述凹部包括V型坑形狀、倒多邊形玉米形狀或者倒金字塔形狀。

16.根據權利要求1所述的發光器件，其中，所述有源層被形成有與所述第一導電類型半導體層的凹部相對應的凹部。

17.根據權利要求8所述的發光器件，其中，所述透明電極層的厚度在60～170nm的范圍內。

18.根據權利要求1至3中任何一項所述的發光器件，其中，所述第一和第二電極的寬度分別在50～150μm的范圍內。

19.根據權利要求1至3中任何一項所述的發光器件，其中，所述第一和第二電極的厚度分別在1000～1500nm的范圍內。

20.根據權利要求1至3中任何一項所述的發光器件，其中，所述發光器件的總高度在100～200μm的范圍內。

21.根據權利要求1至3中任何一項所述的發光器件，其中，所述發光器件的總高度在100～300μm的范圍內。

22.根據權利要求1至3中任何一項所述的發光器件，其中，所述發光結構的厚度在8.5～9.0μm的范圍內。