[發(fā)明專利]有機(jī)光電子器件的薄膜封裝方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210079792.7
• 申請(qǐng)日: 2012-03-23
• 公開（公告）號(hào): CN103325960A
• 公開（公告）日: 2013-09-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 朱少鵬;邱勇;陳紅;黃秀頎;張伸福
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 昆山工研院新型平板顯示技術(shù)中心有限公司
• 主分類號(hào): H01L51/56
• 分類號(hào): H01L51/56
• 代理公司: 蘇州威世朋知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 32235
• 代理人: 楊林潔;黃曉明

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種有機(jī)光電子器件如有機(jī)發(fā)光二極管(Organic?Light?Emitting?Diode,?OLED)或有機(jī)太陽能電池(Organic?Photovoltaic,?OPV)的薄膜封裝方法。?

背景技術(shù)

有機(jī)光電子器件，如有機(jī)發(fā)光二極管(Organic?Light?Emitting?Diode,?OLED)，具有優(yōu)異性能和廣泛應(yīng)用，但因?yàn)椴牧闲再|(zhì)，受到水分和氧氣侵襲后極易變質(zhì)，因此對(duì)封裝性能要求很高。傳統(tǒng)的玻璃蓋或金屬蓋封裝已經(jīng)實(shí)現(xiàn)較好的效果，但不盡適用于一些重要或有潛力的應(yīng)用場合，比如頂發(fā)射OLED顯示技術(shù)、柔性O(shè)LED顯示技術(shù)或柔性O(shè)PV等。為此業(yè)界開發(fā)了薄膜封裝技術(shù)，用一層或若干層真空淀積的薄膜阻隔水氧，不遮擋光出射或入射的路徑，也不影響襯底的可彎曲性。?

各種薄膜封裝的技術(shù)路徑中，多次交替沉積無機(jī)-有機(jī)薄膜的技術(shù)開發(fā)較早也較為成熟，例如Vitex的Barix技術(shù)。然而，該項(xiàng)技術(shù)存在固有的局限，假如與有機(jī)光電子器件接觸的第一層薄膜是在等離子體環(huán)境中沉積的（如濺射沉積或等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法(Plasma?Enhanced?Chemical?Vapor?Deposition,?PECVD)），有機(jī)光電子器件很容易被等離子體損傷，因而需要非常嚴(yán)格地控制工藝，使沉積條件盡量溫和。而這樣溫和的條件不利于提供無機(jī)薄膜材料所可能提供的最佳致密度，即工藝窗口非常窄，而且很可能在最優(yōu)條件之外，不能實(shí)現(xiàn)該材料體系所能提供的最佳密封性能。另一方面，假如第一層薄膜是有機(jī)高分子薄膜，則在其之上包覆的無機(jī)薄膜的邊緣由于臺(tái)階覆蓋等問題密封性會(huì)劣于正面，水分和氧氣容易從邊緣滲透。?

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提供一種既能防止被等離子體損傷，又能防止邊緣滲透有機(jī)光電子器件的薄膜封裝方法。?

為實(shí)現(xiàn)前述目的，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案：?

一種有機(jī)光電子器件的薄膜封裝方法，其包括如下步驟：

提供一基板，所述基板上設(shè)有有機(jī)光電子器件；

在所述有機(jī)光電子器件周圍形成環(huán)狀第一無機(jī)薄膜；

用非等離子體方法在所述有機(jī)光電子器件上沉積薄膜，使所述薄膜填充至所述第一無機(jī)薄膜所圍繞的區(qū)域內(nèi)；

在所述薄膜與第一無機(jī)薄膜上沉積第二無機(jī)薄膜，并使所述第二無機(jī)薄膜與第一無機(jī)薄膜相接，從而將所述有機(jī)光電子器件和薄膜整個(gè)包覆住。

作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，其還包括在所述第一、第二無機(jī)薄膜外沉積多層無機(jī)-有機(jī)薄膜對(duì)的步驟。?

作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述第一無機(jī)薄膜的厚度較有機(jī)光電子器件的厚度厚，所述第一無機(jī)薄膜的厚度范圍為1000-10000埃米。?

作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述薄膜是無機(jī)-有機(jī)薄膜封裝體系中的有機(jī)薄膜。?

作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述薄膜的厚度恰好填充至與所述第一無機(jī)薄膜平齊。?

作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述第一無機(jī)薄膜是通過濺射或等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法(PECVD)透過掩膜通孔沉積形成。?

作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述第一、第二無機(jī)薄膜的材料與工藝相同。?

作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述有機(jī)光電子器件為有機(jī)發(fā)光二極管(Organic?Light?Emitting?Diode,?OLED)或有機(jī)太陽能電池(Organic?Photovoltaic,?OPV)。?

作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述第一無機(jī)薄膜圍成的形狀為四方形。?

本發(fā)明在有機(jī)光電子器件的周圍形成環(huán)狀第一無機(jī)薄膜，實(shí)現(xiàn)更致密的薄膜，從而可以防止薄膜封裝后的邊緣被滲透，加強(qiáng)邊緣的保護(hù)，同時(shí)，等離子體薄膜沉積不在有機(jī)光電器件上直接進(jìn)行，可避免等離子損傷，能夠充分利用材料體系的潛力，不改變?cè)胁牧象w系。?

附圖說明

圖1為本發(fā)明的有機(jī)光電子器件的薄膜封裝結(jié)構(gòu)示意圖。?

圖2a至圖2d為本發(fā)明的有機(jī)光電子器件的薄膜封裝過程示意圖。?

圖3a為本發(fā)明的環(huán)狀薄膜的示意圖。?

圖3b至圖3c為本發(fā)明的沉積所述環(huán)狀薄膜的掩模設(shè)計(jì)示意圖。?

具體實(shí)施方式