[發明專利]一種氧化鋅避雷器中ZnO閥片的等效電路

無效

• 申請號: 201210079561.6
• 申請日: 2012-03-22
• 公開（公告）號: CN102623983A
• 公開（公告）日: 2012-08-01
• 發明（設計）人: 姚建歆;徐劍;胡水蓮;金琪;計杰;章健;解蕾;張弛;張鵬
• 申請（專利權）人: 上海市電力公司
• 主分類號: H02H9/04
• 分類號: H02H9/04
• 代理公司: 上海兆豐知識產權代理事務所(有限合伙) 31241
• 代理人: 章蔚強

技術領域

本發明涉及一種等效電路，尤其涉及一種氧化鋅避雷器(MOA)中ZnO(氧化鋅)閥片的等效電路。

背景技術

目前采用的氧化鋅避雷器一般都為不含間隙式，全由ZnO閥片串聯而成。所以MOA的性能，主要取決于其關鍵元件——ZnO閥片的特性。ZnO閥片主要成分是由ZnO組成，摻有少量的CoO、MnO等其他金屬氧化物以改善閥片的性能。在電子顯微鏡下觀察ZnO閥片可以看到在直徑十微米的ZnO顆粒的周圍包以由摻雜物所形成的氧化膜，這層極薄的晶界層的電阻率是變化的，在低電壓下很在，而在高電壓下將會突然降至約1Ω/cm。這全使得閥片具有極好的非線性保護特性，同時此晶界層的相對介電常數可達500-2000，因此ZnO閥片具有相當大的電容量，在運行電壓下經過閥片的電流將主要是容性電流。

為了研究ZnO閥片，從而進一步研究氧化鋅避雷器，需要ZnO閥片的等效電路。然而，目前現有的一些等效電路并不能滿足要求。

發明內容

本發明的目的在于克服現有技術的缺陷而提供一種氧化鋅避雷器中ZnO閥片的等效電路，它與ZnO閥片等效，從而簡單、準確且實用地對ZnO閥片進行模擬。

實現上述目的的技術方案是：

一種氧化鋅避雷器中ZnO閥片的等效電路，包括串聯的電感和線性電阻，以及相互并聯并且與所述線性電阻分別串聯的四條支路，其中：

第一支路為串聯的第一電容和第一電阻；

第二支路為串聯的第二電容和第二電阻；

第三支路為第三電容；

第四支路為第三電阻。

本發明的有益效果是：本發明較全面地與ZnO閥片等效，簡單、準確且實用地對ZnO閥片進行模擬，方便并滿足了對ZnO閥片研究的要求。

附圖說明

圖1是本發明的氧化鋅避雷器中ZnO閥片的等效電路電路圖。

具體實施方式

下面將結合附圖對本發明作進一步說明。

請參閱圖1，本發明的氧化鋅避雷器中ZnO閥片的等效電路，包括串聯的電感L和線性電阻R，以及相互并聯并且與線性電阻R分別串聯的四條支路，線性電阻R的一端連接電感L，另一端分別連接所述四條支路，其中：

第一支路為串聯的第一電容C1和第一電阻R1；

第二支路為串聯的第二電容C2和第二電阻R2；

第三支路為第三電容C3；

第四支路為第三電阻R3。

本發明中，第一支路和第二支路表示分別描述兩個有損極化過程的吸收支路；線性電阻R表示ZnO晶粒所貢獻的線性電阻；第三電阻R3表示ZnO閥片的泄漏電阻；第三電容C3表示ZnO閥片的電荷電容及位移極化電容之和；電感L表示ZnO閥片的本體電感。在正常的運行電壓下，ZnO閥片只流過含有工頻基波分量及諧波分量的泄漏電流，處于小電流工作區，電感L的作用可以忽略掉，第二支路只有在高頻時作用才明顯，低頻時的作用也可以忽略掉。

綜上，本發明提供的ZnO閥片的等效電路滿足了對ZnO閥片研究的要求。

以上實施例僅供說明本發明之用，而非對本發明的限制，有關技術領域的技術人員，在不脫離本發明的精神和范圍的情況下，還可以作出各種變換或變型，因此所有等同的技術方案也應該屬于本發明的范疇，應由各權利要求所限定。