[發(fā)明專利]液晶顯示面板以及其制造方法

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210078984.6
• 申請(qǐng)日: 2012-03-22
• 公開（公告）號(hào): CN102608815A
• 公開（公告）日: 2012-07-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 姜佳麗;杜鵬;林師勤
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 深圳市華星光電技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): G02F1/1362
• 分類號(hào): G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/133;H01L27/02;H01L21/77
• 代理公司: 深圳翼盛智成知識(shí)產(chǎn)權(quán)事務(wù)所(普通合伙) 44300
• 代理人: 歐陽啟明

1.一種液晶顯示面板，所述液晶顯示面板包括一玻璃基板以及一薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包含一柵極、一源極以及一漏極；其特征在于：所述液晶顯示面板另包含：

一第一子像素電極以及一第二子像素電極，電性連接所述薄膜晶體管，且皆由一透明導(dǎo)電層構(gòu)成；

一掃描線，由一第一金屬層構(gòu)成且位于所述玻璃基板上，所述掃描線耦接至所述薄膜晶體管的所述柵極并用于傳輸一掃描信號(hào)；

一控制電壓線，由所述第一金屬層構(gòu)成且位于所述玻璃基板上，用來傳輸一控制信號(hào)；

一絕緣層，位于所述掃描線和所述控制電壓線之上；

一數(shù)據(jù)線，由一第二金屬層構(gòu)成且位于所述絕緣層之上，耦接于所述薄膜晶體管的所述源極；

一保護(hù)層，位于所述第二金屬層之上；以及

一第一開孔和一第二開孔，皆開設(shè)于所述保護(hù)層中，且位在所述掃描線和所述控制電壓線之間，使得所述第一子像素電極通過所述第一開孔與所述薄膜晶體管的漏極電性連接，以及所述第二子像素電極通過所述第二開孔與所述薄膜晶體管的漏極電性連接。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示面板，其特征在于：所述薄膜晶體管另包含一第一導(dǎo)線、一第二導(dǎo)線及一第三導(dǎo)線，所述源極通過所述第一導(dǎo)線直接連接所述數(shù)據(jù)線，所述漏極通過所述第二導(dǎo)線和所述第一開孔直接連接所述第一子像素電極，所述漏極通過所述第三導(dǎo)線和所述第二開孔直接連接所述第二子像素電極。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的液晶顯示面板，其特征在于：所述第一開孔和所述第二開孔投射于所述玻璃基板上的位置，位于所述掃描線和所述控制電壓線投射于所述玻璃基板的位置之間。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示面板，其特征在于：所述透明導(dǎo)電層的材料是氧化銦錫。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示面板，其特征在于：所述薄膜晶體管、所述掃描線和所述控制電壓線位于所述第一子像素電極以及所述第二子像素電極之間。

6.一種液晶顯示面板的制造方法，其特征在于，所述制造方法包含：

提供一玻璃基板；

形成一第一金屬層于所述玻璃基板上；

蝕刻所述第一金屬層，以形成一薄膜晶體管的柵極、一控制電壓線以及一掃描線；

在所述第一薄膜晶體管的柵極、所述控制電壓線以及所述掃描線上形成一絕緣層；

形成一第二金屬層，并蝕刻所述第二金屬層，以形成所述薄膜晶體管的源極和漏極以及一數(shù)據(jù)線；

形成一保護(hù)層于所述第二金屬層之上；

蝕刻所述保護(hù)層以形成一第一開孔和一第二開孔，所述第一開孔和所述第二開孔皆位在所述掃描線和所述控制電壓線之間；

形成一透明導(dǎo)電層，并蝕刻所述透明導(dǎo)電層以形成一第一子像素電極以及一第二子像素電極，其中所述第一子像素電極通過所述第一開孔與所述薄膜晶體管的漏極電性連接，以及所述第二子像素電極通過所述第二開孔與所述薄膜晶體管的漏極電性連接。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制造方法，其特征在于：在蝕刻所述第二金屬層的步驟時(shí)，同時(shí)形成一第一導(dǎo)線、一第二導(dǎo)線及一第三導(dǎo)線，使得在蝕刻所述透明導(dǎo)電層以形成所述第一子像素電極以及所述第二子像素電極時(shí)，所述源極通過所述第一導(dǎo)線直接連接所述數(shù)據(jù)線，所述漏極通過所述第二導(dǎo)線和所述第一開孔直接連接所述第一子像素電極，所述漏極通過所述第三導(dǎo)線和所述第二開孔直接連接所述第二子像素電極。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制造方法，其特征在于：所述第一開孔和所述第二開孔投射于所述玻璃基板上的位置，位于所述掃描線和所述控制電壓線投射于所述玻璃基板的位置之間。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制造方法，其特征在于：所述透明導(dǎo)電層的材料是氧化銦錫。

10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制造方法，其特征在于：所述薄膜晶體管、所述掃描線和所述控制電壓線位于所述第一子像素電極以及所述第二子像素電極之間。