[發(fā)明專利]顯示裝置和電子設(shè)備

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210078676.3
• 申請(qǐng)日: 2012-03-22
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102738145A
• 公開(kāi)（公告）日: 2012-10-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 諸沢成浩
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 索尼公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L27/02
• 分類(lèi)號(hào): H01L27/02;H01L29/94;H01L27/32;G02F1/1368
• 代理公司: 北京康信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11240
• 代理人: 余剛;吳孟秋

1.一種顯示裝置，包括：

基板；

顯示元件；

晶體管，作為所述顯示元件的驅(qū)動(dòng)元件；以及

電容保持元件，保持對(duì)應(yīng)于視頻信號(hào)的電荷，

其中，所述顯示元件、所述晶體管以及所述電容保持元件設(shè)置在所述基板上，并且

所述電容保持元件包括：

第一半導(dǎo)體層，包含氧化物半導(dǎo)體，

第一導(dǎo)電膜，設(shè)置在所述第一半導(dǎo)體層上，

第一絕緣膜，設(shè)置在所述第一半導(dǎo)體層和所述第一導(dǎo)電膜之間，以及

凹槽，通過(guò)在所述第一半導(dǎo)體層上的選擇性區(qū)域中去除所述第一導(dǎo)電膜和所述第一絕緣膜的厚度的一部分或全部而形成。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，

其中，所述晶體管以靠近所述基板的順序包括：

第二半導(dǎo)體層，包含氧化物半導(dǎo)體，

第二絕緣膜，作為設(shè)置在所述第二半導(dǎo)體層上的選擇性區(qū)域中的柵極絕緣膜，

第二導(dǎo)電膜，作為設(shè)置在對(duì)應(yīng)于所述第二絕緣膜的區(qū)域中的柵電極，以及

源/漏電極層，設(shè)置為與所述第一半導(dǎo)體層電連接。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示裝置，

其中，所述第一半導(dǎo)體層和所述第二半導(dǎo)體層由相同材料形成，

所述第一導(dǎo)電膜和所述第二導(dǎo)電膜由相同材料形成，以及

所述第一絕緣膜和所述第二絕緣膜由相同材料形成。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示裝置，其中，所述第一半導(dǎo)體層與所述第二半導(dǎo)體層一體化設(shè)置。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的顯示裝置，其中，所述第一半導(dǎo)體層和所述第二半導(dǎo)體層在不與所述第一導(dǎo)電膜和所述電容保持元件中的每一個(gè)相對(duì)的區(qū)域中具有電阻比其他區(qū)域的電阻低的低電阻區(qū)。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的顯示裝置，其中，所述源/漏電極層電連接到所述第二半導(dǎo)體層的低電阻區(qū)。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，所述電容保持元件被高電阻膜覆蓋。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，所述顯示元件是有機(jī)電致發(fā)光元件。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，所述顯示元件是液晶顯示元件。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，所述電容保持元件利用用于形成所述晶體管中的溝道的所述第一半導(dǎo)體層的一部分來(lái)形成電容。

11.一種電子設(shè)備，其包括：

顯示裝置，其包括：

基板，并且所述顯示裝置在所述基板上包括：

顯示元件，

晶體管，作為所述顯示元件的驅(qū)動(dòng)元件，以及

電容保持元件，保持對(duì)應(yīng)于視頻信號(hào)的電荷，

其中，所述電容保持元件包括：

第一半導(dǎo)體層，包括氧化物半導(dǎo)體，

第一導(dǎo)電膜，設(shè)置在所述第一半導(dǎo)體層上，

第一絕緣膜，設(shè)置在所述第一半導(dǎo)體層和所述第一導(dǎo)電膜之間，以及

凹槽，通過(guò)在所述第一半導(dǎo)體層上的選擇性區(qū)域內(nèi)去除所述第一導(dǎo)電膜和所述第一絕緣膜的厚度的一部分或全部而形成。