[發明專利]C波段低插損高抑制微型帶通濾波器

無效

• 申請號: 201210078091.1
• 申請日: 2012-03-22
• 公開（公告）號: CN102683775A
• 公開（公告）日: 2012-09-19
• 發明（設計）人: 戴永勝;吳迎春;陳建鋒;范小龍;李旭;戚湧;吳建星;韋晨君;郭風英;韓群飛;尹洪浩;左同生;馮媛;謝秋月;李平;孫宏途;漢敏;王立杰;陳少波;徐利;周聰;張紅;陳曦;於秋杉;楊健
• 申請（專利權）人: 南京理工大學常熟研究院有限公司
• 主分類號: H01P1/203
• 分類號: H01P1/203;H03H7/12
• 代理公司: 南京理工大學專利中心 32203
• 代理人: 朱顯國

1.一種C波段低插損高抑制微型帶通濾波器，其特征在于：包括表面貼裝的50歐姆阻抗輸入端口（P1）、輸入電感（Lin）、由第一電感（L4）和第一電容（C4）并聯而成的第一級并聯諧振單元(L4、C4)、由第一耦合電感（L43）和第一耦合電容（C43）串聯而成的第一電磁耦合電路（L43、C43）、由第二電感（L3）和第二電容（C3）并聯而成的第二級并聯諧振單元(L3、C3)、由第二耦合電感（L32）和第二耦合電容（C32）串聯而成的第二電磁耦合電路（L32、C32）、由第三電感（L2）和第三電容（C2）并聯而成的第三級并聯諧振單元(L2、C2)、由第三耦合電感（L21）和第三耦合電容（C21）串聯而成的第三電磁耦合電路（L21、C21）、由第四電感（L1）和第四電容（C1）并聯而成的第四級并聯諧振單元(L1、C1)、由第四耦合電感（L41）和第四耦合電容（C41）串聯而成的第四電磁耦合電路（L41、C41）、輸出電感（Lout）、表面貼裝的50歐姆阻抗輸出端口（P2）和接地端；輸入端口（P1）與輸入電感（Lin）連接，輸出端口（P2）與輸出電感（Lout）連接，該輸出電感（Lout）與輸入電感（Lin）之間并聯第一級并聯諧振單元(L4、C4)、第二級并聯諧振單元(L3、C3)、第三級并聯諧振單元(L2、C2)和第四級并聯諧振單元(L1、C1)，在第一級并聯諧振單元(L4、C4)與第二級并聯諧振單元(L3、C3)之間串聯第一電磁耦合電路（L43、C43）；第二級并聯諧振單元(L3、C3)與第三級并聯諧振單元(L2、C2)之間串聯第二電磁耦合電路（L32、C32）；第三級并聯諧振單元(L2、C2)與第四級并聯諧振單元(L1、C1)之間串聯第三電磁耦合電路（L21、C21）；第一級并聯諧振單元(L4、C4)與第四級并聯諧振單元(L1、C1)之間串聯第四電磁耦合電路（L41、C41）；所述的第一級并聯諧振單元(L4、C4)、第二級并聯諧振單元(L3、C3)、第三級并聯諧振單元(L2、C2)和第四級并聯諧振單元(L1、C1)的另一端分別接地。

2.根據權利要求1所述的C波段低插損高抑制微型帶通濾波器，其特征在于：第一級并聯諧振單元(L4、C4)?、第一電磁耦合電路（L43、C43）、第二級并聯諧振單元(L3、C3)?、第二電磁耦合電路（L32、C32）、第三級并聯諧振單元(L2、C2)、第三電磁耦合電路（L21、C21）、第四級并聯諧振單元(L1、C1)、第四電磁耦合電路（L41、C41）、輸出電感（Lout）、表面安裝的50歐姆阻抗輸出端口（P2）和接地端均采用多層低溫共燒陶瓷工藝實現，其中輸入電感（Lin）、輸出電感（Lout）均采用分布參數的帶狀線實現，第一級并聯諧振單元(L4，C4)、第二級并聯諧振單元(L3，C3)、第三級并聯諧振單元(L2，C2)、第四級并聯諧振單元(L1，C1)均采用三層折疊耦合帶狀線實現，第一耦合電容（C41）、第二耦合電容（C32）、第三耦合電容（C21）、第四耦合電容（C41）均分別采用第一級并聯諧振單元（L4，C4）與第二級并聯諧振單元(L3，C3)之間、第二級并聯諧振單元（L3，C3）與第三級并聯諧振單元(L2，C2)之間、第三級并聯諧振單元(L2，C2)與第四級并聯諧振單元(L1，C1)之間、第一級并聯諧振單元（L4，C4）與第四級并聯諧振單元(L1，C1)之間空間耦合和分布參數電容實現，第一耦合電感（L43）、第二耦合電感（L32）、第三耦合電感（L21）、第四耦合電感（L41）均分別采用第一級并聯諧振單元（L4，C4）與第二級并聯諧振單元(L3，C3)之間、第二級并聯諧振單元（L3，C3）與第三級并聯諧振單元(L2，C2)之間、第三級并聯諧振單元(L2，C2)與第四級并聯諧振單元(L1，C1)之間、第一級并聯諧振單元（L4，C4）與第四級并聯諧振單元(L1，C1)之間空間耦合和分布參數電感實現。

3.根據權利要求1所要求的C波段低插損高抑制微型帶通濾波器，其特征在于：第一級并聯諧振單元（L4，C4）、第二級并聯諧振單元（L3，C3）、第三級并聯諧振單元（L2，C2）、第四級并聯諧振單元（L1，C1）采用分布參數三層折疊耦合帶狀線結構實現，其中每層帶狀線一端懸空，另一端接地。

4.根據權利要求1所要求的C波段低插損高抑制微型帶通濾波器，其特征在于：其中第一電磁耦合電路（L43，C43）中，第一耦合電感（L43）采用第一級并聯諧振單元（L4，C4）和第二級并聯諧振單元（L3，C3）之間空間耦合和分布參數電感實現，第一耦合電容（C43）采用第一級并聯諧振單元（L4，C4）和第二級并聯諧振單元（L3，C3）之間空間耦合和分布參數電容實現；第二電磁耦合電路（L32，C32）中，第二耦合電感（L32）采用第二級并聯諧振單元（L3，C3）和第三級并聯諧振單元（L2，C2）之間空間耦合和分布參數電感實現，第二耦合電容（C32）采用第二級并聯諧振單元（L3，C3）和第三級并聯諧振單元（L2，C2）之間空間耦合和分布參數電容實現；第三電磁耦合電路（L21，C21）中，第三耦合電感（L21）采用第三級并聯諧振單元（L2，C2）和第四級并聯諧振單元（L1，C1）之間空間耦合和分布參數電感實現，第三耦合電容（C21）采用第三級并聯諧振單元（L2，C2）和第四級并聯諧振單元（L1，C1）之間空間耦合和分布參數電容實現；第四電磁耦合電路（L41，C41）中，第四耦合電感（L41）采用第一級并聯諧振單元（L4，C4）和第四級并聯諧振單元(L1，C1)與Z字形交叉耦合帶狀線之間空間耦合和分布參數電感實現，第四耦合電容（C41）采用一級并聯諧振單元（L4，C4）和第四級并聯諧振單元(L1，C1)與Z字形交叉耦合帶狀線之間空間耦合和分布參數電容實現。