[發明專利]一種制備浮柵的方法無效
| 申請號： | 201210077723.2 | 申請日： | 2012-03-22 |
| 公開（公告）號： | CN102623319A | 公開（公告）日： | 2012-08-01 |
| 發明（設計）人： | 肖海波 | 申請（專利權）人： | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/28 | 分類號： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海新天專利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 制備 方法 | ||
1.一種制備浮柵的方法，其特征在于，包括以下步驟：
步驟S1：在一襯底上依次沉積柵氧化物層、浮柵和氮化硅層，所述柵氧化物層覆蓋襯底的上表面，所述浮柵覆蓋所述柵氧化物層的上表面，所述氮化硅層覆蓋所述浮柵的上表面；
步驟S2：采用光刻工藝，在所述氮化硅層的上表面形成光阻，并以該光阻為掩膜依次刻蝕所述氮化硅層、浮柵和柵氧化物層至硅襯底；
步驟S3：去除所述光阻后，形成凹槽，并沉積氧化硅層覆蓋剩余氮化硅層上表面和所述凹槽的底部及其側壁；
步驟S4：繼續刻蝕工藝刻蝕所述硅襯底，形成STI后，并依次進行高溫氧化熱退火工藝和填充工藝。
2.根據權利要求1所述的制備浮柵的方法，其特征在于，所述步驟S3中采用低溫原子沉積工藝沉積所述氧化硅層。
3.根據權利要求2所述的制備浮柵的方法，其特征在于，所述低溫原子沉積工藝的溫度為300~500℃，所述氧化硅層的厚度為100~500A。
4.根據權利要求3所述的制備浮柵的方法，其特征在于，所述步驟S4中刻蝕所述硅襯底的刻蝕選擇比大于50:1。
5.根據權利要求4所述的制備浮柵的方法，其特征在于，所述填充工藝為高密度等離子體填充工藝或高深寬比填充工藝。
6.根據權利要求5所述的制備浮柵的方法，其特征在于，所述高密度等離子體填充工藝的填充物為氧化硅。
7.根據權利要求1-6中任意一項所述的制備浮柵的方法，其特征在于，所述柵氧化物層的厚度為90~110A。
8.根據權利要求7所述的制備浮柵的方法，其特征在于，所述浮柵的高度為200~600A。
9.根據權利要求8所述的制備浮柵的方法，其特征在于，所述浮柵的摻雜度為5E19~5E20/cm2。
10.根據權利要求9所述的制備浮柵的方法，其特征在于，所述高溫氧化熱退火工藝的溫度為950~1200℃。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
