[發明專利]一種低介電常數薄膜表面處理方法

無效

• 申請號: 201210077703.5
• 申請日: 2012-03-22
• 公開（公告）號: CN102623395A
• 公開（公告）日: 2012-08-01
• 發明（設計）人: 張文廣;陳玉文
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768
• 代理公司: 上海新天專利代理有限公司 31213
• 代理人: 王敏杰

1.一種修復損傷的低介電常數薄膜的表面處理方法，其特征在于，步驟包括：對大馬士革結構表面進行遠程等離子體處理，去除大馬士革結構表面的殘留物和氧化層，并對低介電常數薄膜進行碳補償；在等離子體處理完后的大馬士革結構表面沉積介質阻擋層。

2.根據權利要求1所述的表面處理方法，其特征在于，所述損傷是由蝕刻、灰化或化學機械研磨工序帶來的。

3.根據權利要求1所述的表面處理方法，其特征在于，所述低介電常數薄膜為摻雜碳的多孔氧化硅。

4.根據權利要求1所述的表面處理方法，其特征在于，所述等離子的處理優選為：將還原性氣體經過大馬士革結構表面進行遠程等離子體處理。

5.根據權利要求4所述的表面處理方法，其特征在于，所述還原性氣體包括氫氣、碳氫化合物、或其混合氣體。

6.根據權利要求1所述的表面處理方法，其特征在于，步驟包括：

步驟1，除去CMP工藝后的大馬士革結構薄膜中的水汽和/或CMP過程中殘留的液體；

步驟2，將還原性氣體經過CMP工藝后的大馬士革結構表面，進行遠程等離子體處理，去除大馬士革結構表面的殘留物和氧化層，并對低介電常數薄膜進行碳補償；

步驟3，在步驟2處理完的大馬士革結構表面沉積介質阻擋層。

7.根據權利要求1~6中任意一項所述的方法，其特征在于，所述等離子體處理過程在反應容器內進行，所述等離子體產生于反應容器外，還原性氣體由反應容器外進入。

8.根據權利要求6所述的表面處理方法，其特征在于，步驟1中采用加熱的方式將水汽和/或其它殘留的液體去除。

9.一種使用上述任意一項權利要求所述方法制備的大馬士革結構。