[發(fā)明專利]一種無結(jié)薄膜晶體管的制作方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210077194.6 | 申請日： | 2012-03-21 |
| 公開（公告）號： | CN102623398A | 公開（公告）日： | 2012-08-01 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 萬青;竺立強(qiáng);張洪亮 | 申請（專利權(quán)）人： | 中國科學(xué)院寧波材料技術(shù)與工程研究所 |
| 主分類號： | H01L21/77 | 分類號： | H01L21/77 |
| 代理公司： | 北京鴻元知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11327 | 代理人： | 陳英俊 |
| 地址： | 315201 浙江*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 薄膜晶體管 制作方法 | ||
1.一種無結(jié)薄膜晶體管的制作方法，其特征是：包括如下工藝：
首先，在絕緣襯底(1)上依次沉積導(dǎo)電層(2)、柵介質(zhì)層(3)和重?fù)诫s半導(dǎo)體層(4)，得到三層薄膜結(jié)構(gòu)；然后，采用激光燒蝕工藝自重?fù)诫s半導(dǎo)體層(4)表面對該三層薄膜進(jìn)行兩類激光圖形化開槽，其中一類將重?fù)诫s半導(dǎo)體層(4)燒斷，形成用于分離源、漏電極與柵電極的第一隔離帶(5)，另一類將重?fù)诫s半導(dǎo)體層(4)、柵介質(zhì)層(3)以及導(dǎo)電層(2)燒斷，形成用于分離薄膜晶體管單元的第二隔離帶(6)，從而獲得具有多個薄膜晶體管單元的無結(jié)薄膜晶體管陣列。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種無結(jié)薄膜晶體管的制作方法，其特征是：所述的重?fù)诫s半導(dǎo)體層(4)包括錫摻雜氧化銦薄膜、銦摻雜氧化鋅薄膜或者重?fù)诫s的硅薄膜。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種無結(jié)薄膜晶體管的制作方法，其特征是：所述的重?fù)诫s半導(dǎo)體層(4)的厚度為10～40納米。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種無結(jié)薄膜晶體管的制作方法，其特征是：所述的單個薄膜晶體管單元中，重?fù)诫s半導(dǎo)體層(4)被第一隔離帶(5)分隔后形成的兩個重?fù)诫s半導(dǎo)體區(qū)域的形狀包括正方形或者長方形。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種無結(jié)薄膜晶體管的制作方法，其特征是：所述的每個區(qū)域大小為0.05mm×0.05mm～5mm×5mm。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
