[發明專利]通孔側壁形貌修飾方法

有效

• 申請號: 201210077037.5
• 申請日: 2012-03-21
• 公開（公告）號: CN102610560A
• 公開（公告）日: 2012-07-25
• 發明（設計）人: 黃智林;嚴利均
• 申請（專利權）人: 中微半導體設備（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種通孔側壁形貌修飾方法，其特征在于，包括：

提供硅襯底，所述硅襯底內形成有通孔，所述通孔側壁具有第一粗糙度；

采用針對所述通孔側壁的凸出部的氧化工藝對所述凸出部進行氧化；

采用濕法刻蝕溶液對氧化后的硅襯底進行浴洗，形成具有第二粗糙度的所述通孔側壁，且第二粗糙度小于第一粗糙度。

2.如權利要求1所述通孔側壁形貌修飾方法，其特征在于，所述氧化工藝為含有O的等離子體處理工藝或高溫氧化工藝。

3.如權利要求2所述通孔側壁形貌修飾方法，其特征在于，所述高溫氧化工藝為濕法高溫氧化工藝或干法高溫氧化工藝。

4.如權利要求2所述通孔側壁形貌修飾方法，其特征在于，所述含有O的等離子體處理的工藝參數為：等離子體刻蝕腔體壓力為20毫托至1托，源射頻頻率為0.4兆赫茲至162兆赫茲，偏壓射頻頻率為0.4兆赫茲至40兆赫茲，源射頻功率為2000瓦至5000瓦，偏壓射頻功率為30瓦至500瓦，刻蝕氣體為含有O的氧化性氣體。

5.如權利要求2所述通孔側壁形貌修飾方法，其特征在于，所述高溫氧化工藝參數為：氧化溫度為600度至1300度。

6.如權利要求1所述通孔側壁形貌修飾方法，其特征在于，所述濕法刻蝕溶液為稀釋的氫氟酸或為HF和氨水的混合液。

7.如權利要求1所述通孔側壁形貌修飾方法，其特征在于，所述浴洗工藝參數為：稀釋的氫氟酸濃度為：水與氫氟酸的體積比例為100∶1～1∶1，浴洗溫度為常溫，浴洗時間為40分鐘至60分鐘。

8.如權利要求1所述通孔側壁形貌修飾方法，其特征在于，所述通孔為硅通孔或硅盲孔。