[發明專利]存儲器元件的增進擦除并且避免過度擦除的方法無效
| 申請號： | 201210076518.4 | 申請日： | 2004-09-29 |
| 公開（公告）號： | CN102623060A | 公開（公告）日： | 2012-08-01 |
| 發明（設計）人： | 劉振欽;潘正圣 | 申請（專利權）人： | 旺宏電子股份有限公司 |
| 主分類號： | G11C16/34 | 分類號： | G11C16/34 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人： | 逯長明 |
| 地址： | 中國臺灣新竹*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 存儲器 元件 增進 擦除 并且 避免 過度 方法 | ||
1.一種存儲器元件的增進擦除的方法，且該存儲器元件包括一具有定域化捕捉電荷的存儲器元件結構，其特征在于，該方法包括：
提供一存儲器元件，且該存儲器元件具有一特定的閾值電壓值；
于進行一程序化/擦除周期之前，執行一程序，以增加該存儲器元件的該特定的閾值電壓值；以及
進行該程序化/擦除周期，該程序化/擦除周期包括程序化周期、擦除周期與程序化的過程中的一個或多個，其中該程序化的過程包括在寫入進行之后會進行讀取。
2.根據權利要求1所述的存儲器元件的增進擦除的方法，其特征在于，該程序化/擦除周期包括通過溝道熱電子注入程序化該具有定域化捕捉電荷的存儲器元件。
3.根權利要求1所述的存儲器元件的增進擦除的方法，其特征在于，該程序化/擦除周期包括通過漏極熱空穴注入擦除該具有定域化捕捉電荷的存儲器元件。
4.根據權利要求1所述的存儲器元件的增進擦除的方法，其特征在于，該存儲器元件為一氮化物只讀存儲器元件。
5.根據權利要求4所述的存儲器元件的增進擦除的方法，其特征在于，該程序為一穿隧程序，且該穿隧程序為一Fowler-Nordheim穿隧程序。
6.根據權利要求5所述的存儲器元件的增進擦除的方法，其特征在于，該程序化/擦除周期包括通過溝道熱電子注入程序化該存儲器元件。
7.根據權利要求5所述的存儲器元件的增進擦除的方法，其特征在于，該程序化/擦除周期包括通過漏極熱空穴注入擦除該存儲器元件。
8.根據權利要求1所述的存儲器元件的增進擦除的方法，其特征在于，該存儲器元件具有一漏極感應能量勢壘降低的特性，且在該程序化/擦除周期中，該漏極感應能量勢壘降低不會被誘導。
9.根據權利要求1所述的存儲器元件的增進擦除的方法，其特征在于，該存儲器元件包括一氮化物電荷捕捉層。
10.一種避免過度擦除的方法，其特征在于，包括：
提供一氮化硅只讀存儲器元件，且該氮化硅只讀存儲器元件具有一特定的閾值電壓值；
進行一穿隧程序，以在進行一程序化/擦除周期前，增加該氮化硅只讀存儲器元件的該特定的閾值電壓值；以及
進行該程序化/擦除周期，該程序化/擦除周期包括程序化周期、擦除周期與程序化的過程中的一個或多個，其中該程序化的過程包括在寫入進行之后會進行讀取。
11.根據權利要求10所述的避免氮化硅只讀存儲器過度擦除的方法，其特征在于，該程序化/擦除周期包括通過溝道熱電子注入程序化該氮化硅只讀存儲器元件。
12.根據權利要求10所述的避免氮化硅只讀存儲器過度擦除的方法，其特征在于，該程序化/擦除周期包括通過漏極熱空穴注入擦除該氮化硅只讀存儲器元件。
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