[發(fā)明專利]一種三氧化二釩薄膜的制備方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210076298.5
• 申請日: 2012-03-21
• 公開（公告）號: CN102560635A
• 公開（公告）日: 2012-07-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張胤;吉彥達(dá);黃江;馮大宇;林媛
• 申請（專利權(quán)）人: 電子科技大學(xué)
• 主分類號: C30B25/02
• 分類號: C30B25/02;C30B29/16;C30B29/64;C01G31/02
• 代理公司: 電子科技大學(xué)專利中心 51203
• 代理人: 葛啟函

1.一種三氧化二釩薄膜的制備方法，包括以下步驟：

步驟1：配制無機(jī)偏釩酸鹽聚合物水溶液；首先將帶有氨基或者亞氨基基團(tuán)的水溶性聚合物溶于水，得到溶液A；然后往溶液A中加入無機(jī)偏釩酸鹽，攪拌至完全溶解，得到黃棕色溶液B；最后往溶液B中加入具有起穩(wěn)定作用的絡(luò)合劑，超聲、攪拌至溶液澄清透明，得到無機(jī)偏釩酸鹽聚合物溶液C；

步驟2：采用超濾裝置，濾去無機(jī)偏釩酸鹽聚合物溶液C中游離的離子，并采用蒸發(fā)的方式除去溶液中的部分水以濃縮溶液，得到釩的聚合物前驅(qū)溶液；

步驟3：將步驟2所得釩的聚合物前驅(qū)溶液旋涂于清潔的基片表面；

步驟4：將旋涂了步驟2所得釩的聚合物前驅(qū)溶液的單晶基片置于650～900℃的環(huán)境中，并在還原氣氛下熱處理1小時(shí)以上，冷卻后得到最終的三氧化二釩薄膜；所述熱處理過程的實(shí)現(xiàn)裝置采用高溫高壓管式爐，燒結(jié)氣壓應(yīng)在0.2MPa以上；其中還原氣氛采用氫氣和氮?dú)獾幕旌蠚怏w。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三氧化二釩薄膜的制備方法，其特征在于，步驟1中所述帶有氨基或者亞氨基基團(tuán)的水溶性聚合物為聚乙烯亞胺或多乙烯多胺。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三氧化二釩薄膜的制備方法，其特征在于，步驟1中所述無機(jī)偏釩酸鹽為為NaVO₃、KVO₃、Li?VO₃或NH₄VO₃。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三氧化二釩薄膜的制備方法，其特征在于，步驟1中所述絡(luò)合劑為乙二胺四乙酸或草酸。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三氧化二釩薄膜的制備方法，其特征在于，步驟3中所述基片若采用與三氧化二釩晶格匹配的單晶基片可獲得外延生長的三氧化二釩薄膜。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三氧化二釩薄膜的制備方法，其特征在于，步驟4熱處理過程的實(shí)現(xiàn)裝置為高溫高壓管式爐；其中氫氣和氮?dú)獾幕旌蠚怏w含氫氣2～6％、含氮?dú)?4～98％。