[發(fā)明專利]顯示裝置、顯示裝置的制造方法和電子設(shè)備

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210075857.0
• 申請日: 2012-03-19
• 公開（公告）號: CN102693939A
• 公開（公告）日: 2012-09-26
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 石井孝英
• 申請（專利權(quán)）人: 索尼公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L27/32
• 代理公司: 北京東方億思知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11258
• 代理人: 柳春雷

技術(shù)領(lǐng)域

本公開涉及具有光刻工藝的顯示裝置的制造方法和由此制造的顯示裝置。

背景技術(shù)

在諸如有機(jī)EL(電致發(fā)光)顯示裝置的平板顯示器中，適合于驅(qū)動像素的薄膜晶體管(TFT)、互連層和其他組件布置在襯底上，并且包括有機(jī)EL層的像素形成在其頂部(例如，日本專利公開No.2001-195008)。在在這種顯示裝置的制造步驟中，通過基于光刻技術(shù)的薄膜形成工藝來將每個層圖案化。

發(fā)明內(nèi)容

在基于上述光刻技術(shù)的制造過程中，使用了其上已經(jīng)預(yù)先繪制了各個層的圖案的光掩模。然而，TFT和電容元件首先形成在襯底上，并且之后涂布有平坦化膜，之后在平坦化膜上形成像素電極和像素隔離膜的圖案。因此，不同的光掩模對于每個層的圖案化是必要的。此外，在每個圖案化步驟，光掩模和其他材料是必要的，并且所形成的層經(jīng)受涂布、曝光、顯影、后烘烤和其他步驟，由此導(dǎo)致更多的膜形成步驟和更高的成本。

已經(jīng)考慮到上述內(nèi)容來進(jìn)行了本公開，并且期望提供能夠以低成本和簡單工藝制造的顯示裝置，制造該裝置的方法以及具有該裝置的電子設(shè)備。

根據(jù)本公開的實(shí)施例的顯示裝置的制造方法包括在襯底上形成柵電極，并且通過光刻技術(shù)形成層疊膜。該層疊膜在柵極絕緣膜夾置于中間的狀態(tài)下設(shè)置在柵電極上方并且包括半導(dǎo)體層、源極/漏極電極和/或像素電極、平坦化膜以及像素隔離膜。制造方法還包括在形成層疊膜之后按照順序形成功能層和公共電極。功能層包括有機(jī)電場發(fā)光層。在形成層疊膜的過程中，在層疊膜的至少一部分中一同對兩個以上膜進(jìn)行圖案化。

在根據(jù)本發(fā)明的另一個實(shí)施例的顯示裝置的制造方法中，在襯底上形成柵電極之后，在層疊膜形成步驟中通過光刻技術(shù)形成層疊膜。該層疊膜在柵極絕緣膜夾置于其間的狀態(tài)下設(shè)置在柵電極上方并且包括半導(dǎo)體層、源極/漏極電極和/或像素電極、平坦化膜以及像素隔離膜。之后，按照順序形成功能層和公共電極，由此形成顯示裝置。功能層包括有機(jī)電場發(fā)光層。在形成層疊膜的過程中，在層疊膜的至少一部分中一同對兩個以上膜進(jìn)行圖案化，由此有助于相比于一次進(jìn)行一個層的圖案化更少地消耗光掩模。此外，該制造方法有助于減小光刻膠和其他材料的消耗并且有助于更少的步驟數(shù)目。

根據(jù)本公開的另一個實(shí)施例的顯示裝置包括：設(shè)置在襯底上的柵電極；在柵極絕緣膜夾置于中間的狀態(tài)下設(shè)置在柵電極上方的層疊膜，層疊膜包括半導(dǎo)體層、源極/漏極電極和/或像素電極、平坦化膜以及像素隔離膜；功能層，其設(shè)置在層疊膜的像素隔離膜上并且包括有機(jī)電場發(fā)光層；以及設(shè)置在功能層上的公共電極。開口設(shè)置在層疊膜的至少一部分中以穿透兩個以上層。

根據(jù)本發(fā)明的另一個實(shí)施例的電子設(shè)備包括根據(jù)本公開的實(shí)施例的顯示裝置。

根據(jù)本公開的另一個實(shí)施例的顯示裝置的制造方法在襯底上形成柵電極之后通過光刻技術(shù)形成層疊膜。該層疊膜在柵極絕緣膜夾置于中間的狀態(tài)下設(shè)置在柵電極上方并且包括半導(dǎo)體層、源極/漏極電極和/或像素電極、平坦化膜以及像素隔離膜。之后，該制造方法按照順序形成功能層和公共電極，由此形成顯示裝置。功能層包括有機(jī)電場發(fā)光層。在形成層疊膜的過程中，在層疊膜的至少一部分中一同對兩個以上膜進(jìn)行圖案化，由此有助于更少地消耗光掩模、光刻膠和其他材料并且有助于更少的步驟數(shù)目。這允許通過低成本和簡單的過程制造顯示裝置。

根據(jù)本公開的實(shí)施例的顯示裝置不僅包括設(shè)置在襯底上的柵電極，還包括層疊膜。該層疊膜在柵極絕緣膜夾置于中間的狀態(tài)下設(shè)置在柵電極上方并且包括半導(dǎo)體層、源極/漏極電極和/或像素電極、平坦化膜以及像素隔離膜。開口設(shè)置在層疊膜的至少一部分中以穿透兩個以上層。這有助于更少地消耗光掩模、光刻膠和其他材料并且有助于更少的步驟數(shù)目，由此允許通過低成本和簡單的過程制造顯示裝置。

附圖說明

圖1示出了根據(jù)本公開的第一實(shí)施例的顯示裝置的截面結(jié)構(gòu)；

圖2A和圖2B是按照步驟順序示出了圖1中的TFT的制造方法的圖；

圖2C和圖2D是示出了從圖2A和圖2B繼續(xù)的步驟的圖；

圖2E是示出了從圖2C和圖2D繼續(xù)的步驟的圖；

圖2F是示出了從圖2E繼續(xù)的步驟的圖；

圖2G是示出了從圖2F繼續(xù)的步驟的圖；

圖2H是示出了從圖2G繼續(xù)的步驟的圖；

圖3A和圖3B是按照步驟順序示出了根據(jù)比較示例的TFT制造方法的圖；

圖3C和圖3D是示出了從圖3A和圖3B繼續(xù)的步驟的圖；

圖3E是示出了從圖3C和圖3D繼續(xù)的步驟的圖；