[發明專利]顯示裝置及其制造方法、和具有該顯示裝置的電子設備

無效

• 申請號: 201210075788.3
• 申請日: 2012-03-19
• 公開（公告）號: CN102694005A
• 公開（公告）日: 2012-09-26
• 發明（設計）人: 師岡光雄;廣升泰信
• 申請（專利權）人: 索尼公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32;H01L29/786;H01L21/77
• 代理公司: 北京東方億思知識產權代理有限責任公司 11258
• 代理人: 王安武

1.一種顯示裝置，其包括：

半導體層，其設置在襯底上并且由氧化物半導體制成；

柵極，其設置在所述半導體層的選擇性第一區域上方，柵極絕緣膜夾在所述柵極和所述半導體層之間；

源/漏極層，其適于用作源極或漏極，并且所述源/漏極層電連接到所述半導體層的第二區域，所述第二區域在所述半導體層的所述第一區域附近；和

有機電場發光元件，其設置在所述半導體層的第三區域上方，所述第三區域不同于所述半導體層的所述第一區域和所述第二區域，所述有機電場發光元件具有用于所述第三區域的被驅動作為像素電極的區域。

2.根據權利要求1所述的顯示裝置，其中，

所述第二區域和所述第三區域的電阻率低于所述第一區域。

3.根據權利要求2所述的顯示裝置，包括：

中間層絕緣膜，其適于覆蓋所述柵極絕緣膜和所述柵極，所述中間層絕緣膜具有用于所述第二區域的第一開口和用于所述第三區域的第二開口，其中，

所述源/漏極層設置在用于所述中間層絕緣膜的所述第一開口的區域中，所述有機電場發光元件設置在用于所述中間層絕緣膜的所述第二開口的區域中。

4.根據權利要求3所述的顯示裝置，其中，

所述中間層絕緣膜由光敏樹脂制成。

5.根據權利要求3所述的顯示裝置，其中，

所述源/漏極層以填充所述第一開口的方式設置在所述中間層絕緣膜上，所述顯示裝置還包括：

保護膜，其適于在所述中間層絕緣膜上覆蓋所述源/漏極層。

6.根據權利要求5所述的顯示裝置，其中，

所述保護膜由光敏樹脂制成。

7.一種顯示裝置的制造方法，其包括如下步驟：

在襯底上形成由氧化物半導體制成的半導體層；

在所述半導體層的選擇性第一區域上方形成柵極，柵極絕緣膜夾在所述柵極和所述半導體層之間；

以將源/漏極層電連接到所述半導體層的第二區域的方式，形成所述源/漏極層，所述源/漏極層適于用作源極或漏極，所述第二區域在所述半導體層的所述第一區域附近；并且

在所述半導體層的第三區域上方形成有機電場發光元件，所述第三區域不同于所述半導體層的所述第一區域和所述第二區域，所述有機電場發光元件具有用于所述第三區域的被驅動作為像素電極的區域。

8.根據權利要求7所述的顯示裝置的制造方法，其中，

在形成所述柵極之后執行等離子體處理，以將所述第二區域和所述第三區域的電阻率減小到低于所述第一區域的電阻率的水平。

9.根據權利要求8所述的顯示裝置的制造方法，包括下列步驟：

在等離子體處理之后并且在形成所述源/漏極層之前，形成中間層絕緣膜，所述中間層絕緣膜適于覆蓋所述柵極絕緣膜和所述柵極，所述中間層絕緣膜具有用于所述第二區域的第一開口和用于所述第三區域的第二開口，其中，

所述源/漏極層設置在用于所述中間層絕緣膜的所述第一開口的區域中，所述有機電場發光元件設置在用于所述中間層絕緣膜的所述第二開口的區域中。

10.根據權利要求9所述的顯示裝置的制造方法，其中，

使用光敏樹脂作為所述中間層絕緣膜。

11.根據權利要求9所述的顯示裝置的制造方法，其中，

在形成所述源/漏極層的過程中，首先將所述源/漏極層以填充所述第一開口的方式形成于所述中間層絕緣膜上，然后通過光刻對所述源/漏極層進行圖案化。

12.根據權利要求11所述的顯示裝置的制造方法，其中，

用于對所述源/漏極層進行圖案化的光敏樹脂受到加熱而回流以形成保護膜，所述保護膜適于在所述中間層絕緣膜上覆蓋所述源/漏極層。

13.一種電子設備，其包括：

顯示裝置，其包括：

半導體層，其設置在襯底上并且由氧化物半導體制成；

柵極，其設置在所述半導體層的選擇性第一區域上方，柵極絕緣膜夾在所述柵極和所述半導體層之間；

源/漏極層，其適于用作源極或漏極，并且所述源/漏極層電連接到所述半導體層的第二區域，所述第二區域在所述半導體層的所述第一區域附近；和

有機電場發光元件，其設置在所述半導體層的第三區域上方，所述第三區域不同于所述半導體層的所述第一區域和所述第二區域，所述有機電場發光元件具有用于所述第三區域的被驅動作為像素電極的區域。