[發明專利]利用雙成核層生長高質量氮化鎵外延結構的方法無效
| 申請號： | 201210075703.1 | 申請日： | 2012-03-21 |
| 公開（公告）號： | CN102544271A | 公開（公告）日： | 2012-07-04 |
| 發明（設計）人： | 梁萌;李鴻漸;姚然;李志聰;李盼盼;王兵;李璟;伊曉燕;王軍喜;王國宏;李晉閩 | 申請（專利權）人： | 中國科學院半導體研究所 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人： | 湯保平 |
| 地址： | 100083 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 利用 成核 生長 質量 氮化 外延 結構 方法 | ||
1.一種利用雙成核層生長高質量氮化鎵外延結構的方法，該方法包括以下步驟：
步驟1：采用MOCVD技術，對圖形襯底進行高溫處理后，降溫；
步驟2：在圖形襯底上生長一氮化物成核層；
步驟3：退火，實現成核層再結晶；
步驟4：在結晶后的氮化物成核層上生長一氮化鎵成核層；
步驟5：第二次退火；
步驟6：在氮化鎵成核層上依次生長非故意摻雜氮化鎵層、N型氮化鎵層、有源層和P型氮化鎵層，得到完整外延結構。
2.根據權利要求1所述的一種利用雙成核層生長高質量氮化鎵外延結構的方法，其中圖形襯底的圖形底部尺寸為0.5-5μm，圖形間距為0.3-3μm，圖形高度為0.5-3μm，且圖形呈六邊形分布。
3.根據權利要求1所述的一種利用雙成核層生長高質量氮化鎵外延結構的方法，其中采用MOCVD技術，是利用氨氣做為氮源，氮氣或氫氣做載氣，三甲基鎵或三乙基鎵、三甲基銦和三甲基鋁分別做為鎵源、銦源和鋁源；硅烷為N型摻雜劑，二茂鎂為P型摻雜劑。
4.根據權利要求1所述的一種利用雙成核層生長高質量氮化鎵外延結構的方法，其中生長氮化物成核層的510-570℃，厚度為25-60nm。
5.根據權利要求1所述的一種利用雙成核層生長高質量氮化鎵外延結構的方法，其中退火溫度為1020-1100℃，退火時間為200-500s。
6.根據權利要求1所述的一種利用雙成核層生長高質量氮化鎵外延結構的方法，其中生長氮化鎵成核層的溫度為900-1000℃，厚度為20-100nm。
7.根據權利要求1所述的一種利用雙成核層生長高質量氮化鎵外延結構的方法，其中第二次退火的溫度為1020-1100℃，退火的時間為30-200s。
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