[發明專利]發光組件

有效

• 申請號: 201210075693.1
• 申請日: 2012-03-19
• 公開（公告）號: CN103219469A
• 公開（公告）日: 2013-07-24
• 發明（設計）人: 顏精一;葉樹棠;許智杰;林政偉;陳光榮
• 申請（專利權）人: 財團法人工業技術研究院
• 主分類號: H01L51/52
• 分類號: H01L51/52;H01L27/32
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國

1.一種發光組件，其特征在于，包括：

一基板；

多個發光結構，配置于該基板上，各該發光結構包括：

一輔助電極，配置于該基板上；

一第一絕緣層，配置于該基板上并覆蓋該輔助電極；

一第一電極，配置于該第一絕緣層上，且適于作為陽極；

一第二絕緣層，配置于該第一絕緣層上，且具有一第一開口暴露出該第一電極；

一第一有機發光層，配置于該第一開口中以連接該第一電極；

一陰極，配置于該第一有機發光層上；

至少一導通結構，貫穿該第一絕緣層與該第二絕緣層，并連接該陰極與該輔助電極；以及

一封閉環形結構，配置于該第二絕緣層上且圍繞該陰極，其中該封閉環形結構的厚度大于該陰極的厚度。

2.根據權利要求1所述的發光組件，其特征在于，還包括：

一導電層，位于該封閉環形結構上，其中該導電層與該陰極。

3.根據權利要求1所述的發光組件，其特征在于，該輔助電極是位于該第一電極的下方。

4.根據權利要求1所述的發光組件，其特征在于，該第一絕緣層具有一第一貫孔，該第二絕緣層具有一第二貫孔連通該第一貫孔，且該導通結構具有一位于該第一貫孔中的第一導電插塞與一位于該第二貫孔中的第二導電插塞。

5.根據權利要求4所述的發光組件，其特征在于，該第一導電插塞與該第一電極是于同一沉積制程中形成，該第二導電插塞與該陰極是于同一沉積制程中形成。

6.根據權利要求4所述的發光組件，其特征在于，還包括：

一厚金屬層，配置于該第二貫孔內，且該厚金屬層的厚度大于或等于該陰極的厚度。

7.根據權利要求6所述的發光組件，其特征在于，該厚金屬層是位于該第二導電插塞上。

8.根據權利要求6所述的發光組件，其特征在于，該第二導電插塞是位于該厚金屬層上。

9.根據權利要求6所述的發光組件，其特征在于，還包括：

一導電層，位于該封閉環形結構上，其中該導電層與該厚金屬層是于同一沉積制程中形成。

10.根據權利要求1所述的發光組件，其特征在于，該封閉環形結構的截面形狀是呈倒梯狀。

11.根據權利要求1所述的發光組件，其特征在于，該發光結構還包括：

一第二電極，配置于該第一絕緣層上且與該第一電極彼此分離，該第二電極適于作為陽極，其中該第二絕緣層更具有一第二開口暴露出該第二電極；以及

一第二有機發光層，配置于該第二開口中以連接該第二電極，其中該陰極亦配置于該第二有機發光層上，

其中一第一發光單元包括該第一電極、該第一有機發光層、與該陰極，一第二發光單元包括該第二電極、該第二有機發光層、與該陰極。

12.根據權利要求1所述的發光組件，其特征在于，還包括：

一上蓋，配置于該陰極上，且該封閉環形結構是支撐于該上蓋與該第二絕緣層之間，以于該上蓋與該陰極之間形成一封閉空腔。

13.根據權利要求1所述的發光組件，其特征在于，該些發光結構中的至少二個發光結構的輔助電極相連。

14.根據權利要求1所述的發光組件，其特征在于，該些發光結構中的至少二個發光結構的輔助電極彼此電性絕緣。

15.根據權利要求1所述的發光組件，其特征在于，該輔助電極與該第一電極的材質包括一透明導電材料。

16.根據權利要求15所述的發光組件，其特征在于，該陰極為一透明膜層。

17.根據權利要求1所述的發光組件，其特征在于，該陰極為一透明膜層。

18.根據權利要求17所述的發光組件，其特征在于，該第一電極的材質包括一高反射性材料。

19.根據權利要求1所述的發光組件，其特征在于，該發光組件為一主動式有機發光二極管組件。

20.根據權利要求19所述的發光組件，其特征在于，還包括：

一第一薄膜晶體管，配置于該基板上；以及

一第二薄膜晶體管，配置于該基板上，且該第一薄膜晶體管的一第三電極是電性連接該第二薄膜晶體管的一柵極，該第三電極為該第一薄膜晶體管的一源極或是一漏極，該第四電極與該第五電極為該第二薄膜晶體管的一源極與一漏極其中之一與另一，該第五電極與該第一電極電性連接。