[發明專利]一種一維單晶剛性分子印跡ZnO電極的制備方法

有效

• 申請號: 201210075273.3
• 申請日: 2012-03-20
• 公開（公告）號: CN103316653A
• 公開（公告）日: 2013-09-25
• 發明（設計）人: 趙國華;農馥俏;張亞男;柴守寧
• 申請（專利權）人: 同濟大學
• 主分類號: B01J23/06
• 分類號: B01J23/06;B01J37/10;C02F1/32;C02F1/58
• 代理公司: 上海科盛知識產權代理有限公司 31225
• 代理人: 林君如

1.一種一維單晶剛性分子印跡ZnO電極的制備方法，其特征在于，該方法包括以下步驟：

(1)將純金屬鈦片表面用金相砂紙進行打磨拋光，在含有0.05～1.0wt％的NH₄F，1.6～2.0wt％的Na₂SO₄以及10～50wt％分子量為400的聚乙二醇的溶液中以鈦片為工作電極，鉑片為對電極，進行電化學陽極氧化處理，將制備得到的電極在管式爐中采用程序升溫進行熱處理，即按1～5℃/min的升溫速率升至450～550℃熱處理3～5h；

(2)用勻膠機將1～5mmol/L?Zn(CH₃COO)₂的乙醇溶液旋涂于經步驟(1)陽極氧化預處理得到的鈦片上，然后置于馬弗爐中，在空氣氣氛下，以300℃～350℃熱解0.5h～1h，獲得致密且均勻分布的ZnO晶種層；

(3)將等摩爾的Zn(NO₃)₂及(CH₂)₆N₄溶解在去離子水中，得到Zn²⁺濃度為0.02～0.04mol?L^-1的前驅體溶液，然后，將步驟(2)處理得到的基體電極浸入前驅體溶液中，正面朝下放置于特氟龍內襯的不銹鋼高壓反應釜中，于90℃反應5h，取出電極，用去離子水沖洗，去除表面殘留物，即制備得到一維單晶剛性分子印跡ZnO電極。

2.根據權利要求1所述的一種一維單晶剛性分子印跡ZnO電極的制備方法，其特征在于，步驟(3)中所述的前驅體溶液中還可以加入1.00～2.00mmol/L的模板物質，對制備得到的電極采用乙醇溶液萃取進行模板物質，并經去離子水洗滌，重復3～5次即制備得到具有目標物質分子印跡識別位點的ZnO電極。

3.根據權利要求2所述的一種一維單晶剛性分子印跡ZnO電極的制備方法，其特征在于，所述的模板物質包括苯酚、對羥基苯甲酸、雙酚A、2，4-二羥基苯甲酸、氧樂果或馬拉硫磷。