[發(fā)明專利]CVD涂覆的多晶立方氮化硼切削刀具

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210074897.3
• 申請日: 2012-03-21
• 公開（公告）號: CN102689027A
• 公開（公告）日: 2012-09-26
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 班志剛;劉一雄
• 申請（專利權(quán)）人: 鈷碳化鎢硬質(zhì)合金公司
• 主分類號: B23B27/00
• 分類號: B23B27/00;B23P15/28;B32B15/04;B32B9/04;C23C16/40
• 代理公司: 中國國際貿(mào)易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 李帆

1.一種涂覆的切削刀具，包括：

一個基體，該基體包括大于80重量百分比的多晶立方氮化硼(PcBN)；以及

一個涂層，該涂層附著在該基體上，該涂層包括通過化學氣相沉積而直接沉積在該基體的一個表面上的一個單相α-Al₂O₃層。

2.如權(quán)利要求1所述的涂覆的切削刀具，其中該基體包括至少90重量百分比的PcBN。

3.如權(quán)利要求1所述的涂覆的切削刀具，其中該單相α-Al₂O₃層具有至少約2μm的厚度。

4.如權(quán)利要求1所述的涂覆的切削刀具，其中該單相α-Al₂O₃層具有范圍從約2μm至約20μm的厚度。

5.如權(quán)利要求1所述的涂覆的切削刀具，其中該單相α-Al₂O₃層具有范圍從約0.2μm至約5μm的平均粒徑。

6.如權(quán)利要求1所述的涂覆的切削刀具，其中該單相α-Al₂O₃層具有范圍從約0.5μm至約2μm的平均粒徑。

7.如權(quán)利要求1所述的涂覆的切削刀具，其中在該單相α-Al₂O₃層的表面處的晶粒顯示出一種多面體形態(tài)。

8.如權(quán)利要求1所述的涂覆的切削刀具，其中在該單相α-Al₂O₃層的表面處的晶粒在平行于該表面的一個平面中具有大于2的長寬比。

9.如權(quán)利要求1所述的涂覆的切削刀具，其中該涂層具有大于65N的臨界負荷(L_c)。

10.如權(quán)利要求1所述的涂覆的切削刀具，其中該涂層具有大于70N的臨界負荷(L_c)。

11.如權(quán)利要求1所述的涂覆的切削刀具，其中該涂層進一步包括通過化學氣相沉積而沉積在該單相α-Al₂O₃層上的一個MO_xC_yN_z層，其中M是選自元素周期表的IVB族、VB族和VIB族的金屬元素所組成的組中的一種金屬，并且x+y+z＝1。

12.如權(quán)利要求1所述的涂覆的切削刀具，其中該涂層具有至少約23Gpa的納米硬度。

13.如權(quán)利要求1所述的涂覆的切削刀具，其中該涂層具有至少約380Gpa的模量。

14.一種制造涂覆的切削刀具的方法，包括：

提供一個基體，該基體包括大于80重量百分比的多晶立方氮化硼；并且

通過化學氣相沉積而直接在該基體的一個表面上沉積一個單相α-Al₂O₃層。

15.如權(quán)利要求14所述的方法，其中該基體包括至少90重量百分比的PcBN。

16.如權(quán)利要求14所述的方法，其中沉積包括改變α-Al₂O₃的沉積速率。

17.如權(quán)利要求16所述的方法，其中改變α-Al₂O₃的沉積速率包括從一個較低的α-Al₂O₃沉積速率轉(zhuǎn)變到一個較高的α-Al₂O₃沉積速率。

18.如權(quán)利要求14所述的方法，其中沉積包括改變α-Al₂O₃的沉積溫度。

19.如權(quán)利要求18所述的方法，其中改變沉積溫度包括從一個較高的α-Al₂O₃沉積溫度轉(zhuǎn)變到一個較低的α-Al₂O₃沉積溫度。

20.如權(quán)利要求14所述的方法，其中沉積包括改變α-Al₂O₃的沉積速率和改變α-Al₂O₃的沉積溫度。