[發明專利]散熱結構制作方法無效
| 申請號: | 201210074799.X | 申請日: | 2012-03-20 |
| 公開(公告)號: | CN103325689A | 公開(公告)日: | 2013-09-25 |
| 發明(設計)人: | 陳逸男;徐文吉;葉紹文;劉獻文 | 申請(專利權)人: | 南亞科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/48 | 分類號: | H01L21/48 |
| 代理公司: | 深圳新創友知識產權代理有限公司 44223 | 代理人: | 江耀純 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 散熱 結構 制作方法 | ||
1.一種散熱結構的制作方法,其特征在于,包含:
提供一散熱基板;
于該散熱基板的一面形成鉆石顆粒或薄膜;
于該鉆石顆粒或薄膜上涂布一乳膠聚合物層,構成一散熱器件;以及
將該散熱器件與一發熱器件結合在一起。
2.根據權利要求1所述的散熱結構的制作方法,其特征在于,另包括:將該散熱基板加熱,利用氫氣進行還原并去除氧化物。
3.根據權利要求2所述的散熱結構的制作方法,其特征在于,另包括:利用氬氣形成電漿轟擊該散熱基板的表面,使其有效表面積增加。
4.根據權利要求1所述的散熱結構的制作方法,其特征在于:該發熱器件系為一半導體集成器件。
5.根據權利要求1所述的散熱結構的制作方法,其特征在于:該鉆石顆粒或薄膜的尺寸介于數十奈米至次微米。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





