[發明專利]雙層多晶柵溝槽型MOS晶體管的制備方法

無效

• 申請號: 201210074736.4
• 申請日: 2012-03-20
• 公開（公告）號: CN103325682A
• 公開（公告）日: 2013-09-25
• 發明（設計）人: 邵向榮;張朝陽;王永成
• 申請（專利權）人: 上海華虹NEC電子有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 劉昌榮

1.雙層多晶柵溝槽型MOS晶體管的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

1)在硅基板上刻蝕溝槽，刻蝕完成后，保留溝槽頂部的刻蝕阻擋層；

2)淀積氮化硅；

3)回刻氮化硅，除去溝槽側壁以外區域的氮化硅；

4)刻蝕形成底部溝槽區域；

5)第一次局部硅氧化，在底部溝槽區域生長熱氧化層；

6)沉積第一層多晶硅并回刻；

7)第二次局部硅氧化，在第一層多晶硅表面生長熱氧化層；

8)刻蝕掉溝槽側壁的氮化硅，按照常規工藝完成雙層多晶柵溝槽型MOS晶體管的制備。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，步驟1)，所述刻蝕阻擋層為二氧化硅。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，步驟2)，采用化學氣相沉積方法淀積氮化硅。

4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，步驟2)，所述氮化硅的厚度為

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，步驟3)，采用干法刻蝕方法回刻氮化硅。

6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，步驟4)，所述底部溝槽區域的深度為1～2μm。

7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述熱氧化層的厚度為

8.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，步驟6)，回刻深度為步驟1)的溝槽刻蝕深度。

9.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，步驟8)，采用濕法刻蝕方法刻蝕溝槽側壁的氮化硅。