[發明專利]發光元件

有效

• 申請號: 201210074692.5
• 申請日: 2012-03-20
• 公開（公告）號: CN102738343A
• 公開（公告）日: 2012-10-17
• 發明（設計）人: 杉森暢尚
• 申請（專利權）人: 三墾電氣株式會社
• 主分類號: H01L33/38
• 分類號: H01L33/38;H01L33/42
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 李輝;黃綸偉

1.一種發光元件，其使用在具有第1導電類型的第1半導體層上形成具有第2導電類型的第2半導體層而成的半導體發光功能層，其中，該第2導電類型是與所述第1導電類型相反的導電類型，在所述半導體發光功能層中的形成有所述第2半導體層的一側的主面上具有：與所述第2半導體層直接接觸的透明電極、形成于該透明電極上的絕緣層、形成于該絕緣層上且在設于前記絕緣層中的第1開口部中與所述第1半導體層直接接觸的第1電極層、以及形成于所述絕緣層上且在設于所述絕緣層中的第2開口部中與所述透明電極直接接觸的第2電極層，該發光元件俯視觀察為大致矩形形狀，該發光元件的特征在于，

所述第1開口部和所述第2開口部具有分別沿著與所述大致矩形形狀的對置的2邊平行延伸的2條直線形成的部分，在所述透明電極中，在所述2條直線之間形成有在與所述2條直線垂直的方向上延伸的多個透明電極開口部。

2.根據權利要求1所述的發光元件，其特征在于，

所述第1電極層和所述第2電極層分別具有：分別與所述2條直線平行延伸的呈線狀形態的線狀部、以及寬度比該線狀部寬的焊盤部。

3.根據權利要求2所述的發光元件，其特征在于，

所述2邊是沿著所述大致矩形形狀的長度方向的2邊，所述第1開口部和所述第2開口部分別形成于所述2邊側的端部側。

4.根據權利要求2所述的發光元件，其特征在于，

所述第1開口部和所述第2開口部中的一方形成于被所述2邊夾著的中央部，所述第1開口部和所述第2開口部中的另一方形成于所述2邊側的兩端部側。

5.根據權利要求4所述的發光元件，其特征在于，

所述第1電極層中的焊盤部和所述第2電極層中的焊盤部形成于所述第1開口部和所述第2開口部中的一方延伸的線上。

6.根據權利要求4所述的發光元件，其特征在于，

所述第1電極層中的焊盤部和所述第2電極層中的焊盤部分別形成于所述第1開口部和所述第2開口部中的一方延伸的線上的與所述2邊垂直的2邊側的兩端部側，

所述第1開口部和所述第2開口部中的另一方在與所述第1電極層和所述第2電極層的一方中的設有所述焊盤部的一側對置的邊側，具有沿著該對置的邊側的彎曲部，其中，所述第1電極層和所述第2電極層的一方與所述第1開口部和所述第2開口部中的一方直接連接。

7.根據權利要求6所述的發光元件，其特征在于，

所述第1開口部和所述第2開口部中的一方的前端部與所述彎曲部的前端部之間的距離，與從設有所述彎曲部的所述第1開口部和所述第2開口部中的另一方中的沿著與所述大致矩形形狀的對置的2邊平行延伸的2條直線形成的部分到所述第1開口部和所述第2開口部的中的一方的間隔大致相等。

8.根據權利要求2～7中的任意一項所述的發光元件，其特征在于，

所述第1半導體層通過外延生長而形成于襯底上。

9.根據權利要求8所述的發光元件，其特征在于，

在所述線狀部延伸的一個方向的延長線上的所述襯底上，隔著所述襯底上的局部地去除半導體層后的元件分離區域形成有二極管，

所述第1電極層和所述第2電極層跨越所述元件分離區域而在形成有所述二極管的區域上延伸，使用所述半導體發光功能層形成的發光二極管和所述二極管以順向變為反向的方式并聯連接。

10.根據權利要求9所述的發光元件，其特征在于，

所述焊盤部在形成有所述二極管的區域上形成。

11.根據權利要求1～10中的任意一項所述的發光元件，其特征在于，

所述第1半導體層由n型氮化物半導體構成，所述第2半導體層由p型氮化物半導體構成。