[發明專利]一種利用MCU內部數據Flash存儲非易失性數據的方法

有效

• 申請號: 201210074452.5
• 申請日: 2012-03-20
• 公開（公告）號: CN102662852A
• 公開（公告）日: 2012-09-12
• 發明（設計）人: 馬建輝;王知學;劉源楊;李研強
• 申請（專利權）人: 山東省科學院自動化研究所
• 主分類號: G06F12/06
• 分類號: G06F12/06
• 代理公司: 濟南圣達知識產權代理有限公司 37221
• 代理人: 張勇

1.一種利用MCU內部數據Flash存儲非易失性數據的方法，其特征在于：將所有非易失性數據條目組織在一個分區中，將數據Flash的若干扇區劃分為多個數據分區，不同數據分區存儲數據在不同歷史時間的拷貝；當前數據分區存儲最新的數據拷貝；在數據讀操作進行時，計算最新數據拷貝的Flash存儲位置，直接讀取該地址；在數據寫操作進行時，判斷數據寫入位置是否已經被擦除，如果寫入位置未擦除，將數據寫入下一個分區，同時將當前分區中的其他數據復制到下一個分區；如果寫入位置已經擦除，直接將數據寫入當前分區中。

2.如權利要求1所述的利用MCU內部數據Flash存儲非易失性數據的方法，其特征在于：所述數據分區大小和個數取值均為2的冪次方，且分區個數不大于256，分區大小*分區個數等于扇區大小*扇區個數，扇區個數至少為2，以滿足實現掉電恢復功能的需要。

3.如權利要求1所述的利用MCU內部數據Flash存儲非易失性數據的方法，其特征在于：所述數據分區設置有狀態字，大小為單字節，位置在分區起始地址，標識分區數據的存儲歷史時間；數據分區狀態字在每次分區擦除后執行的第一次寫入操作后更新，依次遞增且不等于0xff，當遞增到0xff時，設置狀態字為0。

4.如權利要求3所述的利用MCU內部數據Flash存儲非易失性數據的方法，其特征在于：當存在取值為0的分區狀態字時，小于分區數的最大狀態字代表的分區為最新數據分區，當不存在取值為0的分區狀態字時，最大狀態字代表的分區為最新數據分區。

5.如權利要求1所述的利用MCU內部數據Flash存儲非易失性數據的方法，其特征在于：將所有非易失性數據條目組織在一個分區中是指數據分區中數據條目的組織是以固定序列的形式進行的，每個數據條目都有固定的偏移地址，數據條目地址=分區起始地址+偏移地址。

6.如權利要求1或5所述的利用MCU內部數據Flash存儲非易失性數據的方法，其特征在于：所述的數據條目格式為data?id+data，data?id，它為單字節大小，唯一標識該數據，data為數據內容，長度由所表示的含義決定。

7.如權利要求6所述的利用MCU內部數據Flash存儲非易失性數據的方法，其特征在于：所述數據條目中的data?id，其取值區間為[0,254]的整型數據，不僅標識數據，同時其地址做為數據條目的狀態字存儲地址，表示該數據條目在當前分區中的地址是否已經被擦除。

8.如權利要求1所述的利用MCU內部數據Flash存儲非易失性數據的方法，其特征在于：所述數據寫入位置是否已經被擦除是通過數據條目中的數據狀態字進行判斷的，首先讀取該數據條目的狀態字，如果狀態字等于0xff，則數據寫入地址已經被擦除，如果不等于0xff，則數據寫入地址未被擦除。