[發明專利]用于AlN晶體生長的圖形化襯底

無效

• 申請號: 201210074358.X
• 申請日: 2012-03-20
• 公開（公告）號: CN102586879A
• 公開（公告）日: 2012-07-18
• 發明（設計）人: 韓杰才;宋波;趙超亮;張幸紅;張化宇;張宇民
• 申請（專利權）人: 哈爾濱工業大學
• 主分類號: C30B29/38
• 分類號: C30B29/38;C30B11/00;C30B11/14;C30B28/06
• 代理公司: 哈爾濱市松花江專利商標事務所 23109
• 代理人: 韓末洙

1.用于AlN晶體生長的圖形化襯底，其特征在于用于AlN晶體生長的圖形化襯底是在襯底上嵌入均勻排布圖形單元，圖形單元的形狀為正六棱臺，邊長為a₂的上底面在襯底表面所在的平面上，下底面的邊長為a₁，圖形單元的高度為c₁，其中，a_i＝n_ia，c₁＝n₁c，a₂＝n₂a₁，a和c為六方AlN晶體的晶胞參數，0＜n₁≤15×10⁷，1＜n₂≤3。

2.根據權利要求1所述的用于AlN晶體生長的圖形化襯底，其特征在于n₁為整數，n₂為整數。

3.根據權利要求1或2所述的用于AlN晶體生長的圖形化襯底，其特征在于用于AlN晶體生長的圖形化襯底按正六邊形、菱形和正三角形中一種或者其中幾種的組合的方式均勻排布圖形單元。

4.根據權利要求1或2所述的用于AlN晶體生長的圖形化襯底，其特征在于用于AlN晶體生長的圖形化襯底中相鄰圖形單元的中心的距離a₃＝n₃a₁，0＜n₃≤10。

5.根據權利要求1或2所述的用于AlN晶體生長的圖形化襯底，其特征在于所述襯底為W襯底、Ta襯底、WC襯底或者TaC襯底。

6.根據權利要求1或2所述的用于AlN晶體生長的圖形化襯底，其特征在于所述襯底的規格為：直徑為1英寸×厚度為1～8mm，0＜n₁≤5×10⁷。

7.根據權利要求1或2所述的用于AlN晶體生長的圖形化襯底，其特征在于所述襯底的規格為：直徑為2英寸×厚度為2～16mm，0＜n₁≤10×10⁷。

8.根據權利要求1或2所述的用于AlN晶體生長的圖形化襯底，其特征在于所述襯底的規格為：直徑為3英寸×厚度為3～24mm，0＜n₁≤15×10⁷。