[發明專利]成膜方法及濺射裝置

無效

• 申請號: 201210074252.X
• 申請日: 2012-03-20
• 公開（公告）號: CN103320754A
• 公開（公告）日: 2013-09-25
• 發明（設計）人: 川又由雄;宇都宮信明;伊藤昭彥
• 申請（專利權）人: 芝浦機械電子株式會社
• 主分類號: C23C14/34
• 分類號: C23C14/34;C23C14/14
• 代理公司: 北京信慧永光知識產權代理有限責任公司 11290
• 代理人: 周善來;李雪春

技術領域

本發明涉及一種成膜方法，具體為涉及基于濺射法的成膜方法及濺射裝置。

背景技術

作為在襯底上形成薄膜的成膜方法，有真空蒸鍍法、濺射法。在真空蒸鍍法中，向坩堝、蒸發舟等供給原料，通過在真空中使原料蒸發而在襯底上形成薄膜。另一方面，在濺射法中，通過對靶進行濺射而使從靶飛離的粒子沉積在襯底上，從而在襯底上形成薄膜。

在上述成膜法中，公知即使膜成分相同，膜質也不同。例如，對于金屬薄膜，據稱與濺射法相比真空蒸鍍法較容易形成不連續被膜(例如參照專利文獻1)。因此，為了有意地形成不連續被膜，通常與濺射法相比存在選擇真空蒸鍍法的傾向。

專利文獻1：日本國特開2007-138270號公報

但是，真空蒸鍍法與濺射法相比，很難對膜厚進行微妙的控制。而且，真空蒸鍍裝置的主流是間歇式，量產性不好。

發明內容

本發明的目的在于提供一種成膜方法及濺射裝置，可利用濺射法容易地形成不連續被膜。

根據本發明的一個方式，提供一種成膜方法，是在真空槽內使襯底和靶相對，通過濺射法在前述襯底上成膜的成膜方法，其特征在于，將前述靶的表面溫度控制為比常溫高的規定溫度，與未使前述靶的表面溫度成為前述規定溫度時相比，在前述襯底上形成高電阻的被膜。

而且，根據本發明的一個方式，提供一種濺射裝置，可實現上述成膜方法。

根據本發明，可利用濺射法容易地形成不連續被膜。

附圖說明

圖1是成膜裝置的主要部分剖視圖。

圖2是成膜裝置的框圖。

圖3是說明膜質變化的圖。

符號說明

10-真空槽；11-防濺板；20-支撐臺；30-對置電極；30ch-介質流路；30c-冷卻機構；30h-加熱機構；30t-靶；31-絕緣構件；32-電源；33-冷卻單元；34-加熱單元；35-流量調節器；36-氣體供給源；40-控制部；40a-計測部；40b-溫度控制部；40c-放電控制部；40d-氣體控制部；40e-存儲部；40f-輸入部；50-襯底；60-擋板。

具體實施方式

下面，參照附圖對本發明的實施方式進行說明。首先，在說明成膜方法之前，對本實施方式所涉及的成膜裝置進行說明。

實施例1

圖1是成膜裝置的主要部分剖視圖。圖1(a)中示出成膜裝置1的整體，圖1(b)中示出安裝于成膜裝置1的對置電極30附近的放大圖。首先，利用圖1(a)，對成膜裝置1的概要進行說明。

成膜裝置1是濺射裝置，具備真空槽10、支撐臺20及對置電極30。而且，在除支撐臺20及對置電極30的真空槽10的內壁上安裝有防濺板11。除此以外，在成膜裝置1中設置有用于向真空槽10內供給各種氣體的供給管、用于排出真空槽10內的氣氛的排氣管(未圖示)。在支撐臺20上設置有擋板60。

真空槽10是保持減壓狀態的所謂真空容器。在真空槽10的底面上設置有支撐臺20，在真空槽10的上面的正下方設置有對置電極30。使支撐臺20與對置電極30相對配置。支撐臺20可以對在真空槽10內被處理的襯底50進行保持。對置電極30是放電用的電極。

防濺板11例如是以平面板為原料制作的可拆裝的交換部件，可以安裝在真空槽10內，或從真空槽10取出。通過將這種防濺板11安裝在真空槽10的內壁上，可以防止濺射粒子直接沉積在真空槽10的內壁上。

真空槽10及防濺板11的材質例如適合用鐵、不銹鋼、鋁(Al)等的金屬。而且，使真空槽10、防濺板11及支撐臺20接地。

下面，利用圖1(b)，說明對置電極30的結構。

對置電極30例如具有與支撐臺20側相對的靶30t、加熱靶30t的加熱機構30h及冷卻靶30t的冷卻機構30c。

在加熱機構30h內例如設置有電熱絲和溫度傳感器(未圖示)。在冷卻機構30c內例如形成有介質流路30ch。介質(例如水、有機溶劑、含有機物的水、導熱氣體)可以從箭頭A流入，在介質流路30ch內流動，沿箭頭B從介質流路30ch流出。由此，調節從加熱機構30h發出的熱量和向冷卻機構30c的散熱，從而調節靶30t的表面溫度。

而且，靶30t的表面溫度也可以不使用加熱機構30h，而通過調節放電中自發的溫度上升以及介質的溫度來進行控制。例如介質溫度可以通過外置的溫度調節器而設定為比常溫低的溫度。而且，即使不使用加熱機構30h，也可以通過將介質溫度設定為比常溫(例如22℃)高，而將靶30t的表面溫度設定為比常溫高。