[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210074245.X
• 申請日: 2012-03-20
• 公開（公告）號: CN103022128A
• 公開（公告）日: 2013-04-03
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 山浦和章
• 申請（專利權(quán)）人: 株式會社東芝
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/06
• 代理公司: 北京市中咨律師事務(wù)所 11247
• 代理人: 萬利軍;陳海紅

技術(shù)領(lǐng)域

后述的實(shí)施方式一般涉及半導(dǎo)體裝置。

背景技術(shù)

作為功率MOS(Metal?Oxide?Semiconductor，金屬氧化物半導(dǎo)體)場效應(yīng)晶體管之一有橫向DMOS(Double?Diffused?Metal?Oxide?Semiconductor，雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體)場效應(yīng)晶體管。在DMOS場效應(yīng)晶體管中，一般來說采用延長漂移區(qū)域的長度(漂移長度)、以提高元件的耐壓的方法策略。

但是，如果為了提高元件的耐壓而如上所述采取延長漂移長度的方法，則在橫向DMOS場效應(yīng)晶體管中存在元件面積增加這樣的問題。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明將要解決的問題在于提供即便具有高耐壓的半導(dǎo)體元件仍能夠抑制元件面積的增大的半導(dǎo)體裝置。

實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置，具備半導(dǎo)體基板和設(shè)置于所述半導(dǎo)體基板上的第一半導(dǎo)體元件，其特征在于，所述第一半導(dǎo)體元件具備：設(shè)置于所述半導(dǎo)體基板上的第一導(dǎo)電型的第一半導(dǎo)體層；設(shè)置于所述第一半導(dǎo)體層上的第一導(dǎo)電型的第二半導(dǎo)體層；設(shè)置于所述第一半導(dǎo)體層上的、與所述第二半導(dǎo)體層相鄰的第一導(dǎo)電型的第三半導(dǎo)體層；從所述第二半導(dǎo)體層的表面以及所述第三半導(dǎo)體層的表面到各自的內(nèi)部而設(shè)置的第一絕緣層；選擇性地設(shè)置于所述第二半導(dǎo)體層的表面的第二導(dǎo)電型的第一基底區(qū)域；選擇性地設(shè)置于所述第一基底區(qū)域的表面的第一導(dǎo)電型的第一源區(qū)域；從所述第一絕緣層的表面到內(nèi)部而設(shè)置的、隔著所述第一絕緣層與所述第一基底區(qū)域相鄰的第一柵電極；設(shè)置于所述第一基底區(qū)域下的所述第二半導(dǎo)體層內(nèi)的、從所述第一半導(dǎo)體層的表面延伸到所述第一基底區(qū)域側(cè)的第一導(dǎo)電型的第一漂移層；與所述第一源區(qū)域相對、夾著所述第一絕緣層而設(shè)置于所述第三半導(dǎo)體層的表面的第一導(dǎo)電型的第一漏區(qū)域；與所述第一源區(qū)域電連接的第一源電極；和與所述第一漏區(qū)域電連接的第一漏電極，

所述第一漂移層所含的第一導(dǎo)電型的雜質(zhì)元素的濃度比所述第一半導(dǎo)體層所含的第一導(dǎo)電型的雜質(zhì)元素的濃度低，所述第一漂移層所含的第一導(dǎo)電型的雜質(zhì)元素的濃度比所述第二半導(dǎo)體層所含的第一導(dǎo)電型的雜質(zhì)元素的濃度高。

根據(jù)上述結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體裝置，即便具有高耐壓的半導(dǎo)體元件也能夠抑制元件面積的增大。

附圖說明

圖1是實(shí)施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置的俯視模式圖。

圖2是實(shí)施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置的剖視模式圖。

圖3是用于說明實(shí)施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置的作用的剖視模式圖。

圖4是說明漂移層的厚度以及漂移層內(nèi)的雜質(zhì)濃度、與耐壓的關(guān)系的圖。

圖5是用于說明參考例所涉及的半導(dǎo)體裝置的作用的剖視模式圖。

圖6是實(shí)施方式的變形例所涉及的半導(dǎo)體裝置的剖視模式圖。

具體實(shí)施方式

實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置具備半導(dǎo)體基板和設(shè)置于所述半導(dǎo)體基板上的第一半導(dǎo)體元件。

所述第一半導(dǎo)體元件具備：設(shè)置于所述半導(dǎo)體基板上的第一導(dǎo)電型的第一半導(dǎo)體層；設(shè)置于所述第一半導(dǎo)體層上的第一導(dǎo)電型的第二半導(dǎo)體層；設(shè)置于所述第一半導(dǎo)體層上并與所述第二半導(dǎo)體層相鄰的第一導(dǎo)電型的第三半導(dǎo)體層；從所述第二半導(dǎo)體層的表面以及所述第三半導(dǎo)體層的表面到各自的內(nèi)部而設(shè)置的第一絕緣層；選擇性地設(shè)置于所述第二半導(dǎo)體層的表面的第二導(dǎo)電型的第一基底區(qū)域；選擇性地設(shè)置于所述第一基底區(qū)域的表面的第一導(dǎo)電型的第一源區(qū)域；從所述第一絕緣層的表面到內(nèi)部而設(shè)置的、隔著所述第一絕緣層與所述第一基底區(qū)域相鄰的第一柵電極；設(shè)置于所述第一基底區(qū)域下的所述第二半導(dǎo)體層內(nèi)的、從所述第一半導(dǎo)體層的表面延伸到所述第一基底區(qū)域側(cè)的第一導(dǎo)電型的第一漂移層；與所述第一源區(qū)域相對、夾著所述第一絕緣層而設(shè)置于所述第三半導(dǎo)體層表面的第一導(dǎo)電型的第一漏區(qū)域；與所述第一源區(qū)域電連接的第一源電極；和與所述第一漏區(qū)域電連接的第一漏電極。

所述第一漂移層所含的第一導(dǎo)電型雜質(zhì)元素的濃度比所述第一半導(dǎo)體層所含的第一導(dǎo)電型雜質(zhì)元素的濃度低。所述第一漂移層所含的第一導(dǎo)電型雜質(zhì)元素的濃度比所述第二半導(dǎo)體層所含的第一導(dǎo)電型雜質(zhì)元素的濃度高。

下面，邊參照附圖邊對實(shí)施方式進(jìn)行說明。在下面的說明中，對同一部件標(biāo)注同一附圖標(biāo)記，對于曾經(jīng)說明了的部件適當(dāng)省略對其的說明。

圖1是實(shí)施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置的俯視模式圖。

圖2是實(shí)施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置的剖視模式圖。

在圖2(a)中示出了沿圖1的A-B線的位置處的剖面，在圖2(b)中示出了沿圖1的C-D線的位置處的剖面。