[發(fā)明專利]一種陣列基板及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210074221.4
• 申請日: 2012-03-19
• 公開（公告）號: CN102655156A
• 公開（公告）日: 2012-09-05
• 發(fā)明（設計）人: 朱佩譽;牛菁
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

1.一種陣列基板，包括：透明基板，在該透明基板上設置有橫縱交叉的柵線和數據線，在所述柵線和數據線所限定的像素單元中設置有薄膜晶體管和像素電極；其中，所述薄膜晶體管的柵極與柵線相連，源極與數據線相連，漏極與像素電極相連；其特征在于，所述薄膜晶體管的柵極在所述漏極正對區(qū)域的厚度比在該薄膜晶體管的溝道正對區(qū)域的厚度小。

2.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述薄膜晶體管的柵極在所述源極正對區(qū)域的厚度比在該薄膜晶體管的溝道正對區(qū)域的厚度小。

3.根據權利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述薄膜晶體管的源極和漏極厚度相等。

4.根據權利要求1-3任一項所述的陣列基板，其特征在于，從俯視的角度，所述薄膜晶體管的源極形狀為弧形，所述薄膜晶體管的漏極的一端處于弧形源極的向心側。

5.根據權利要求1-3任一項所述的陣列基板，其特征在于，從俯視的角度，所述薄膜晶體管的源極、漏極的形狀均為矩形。

6.根據權利要求1-3任一項所述的陣列基板，其特征在于，還包括：公共電極線；所述公共電極線與所述數據線同層設置，且兩者之間電絕緣。

7.根據權利要求6所述的陣列基板，其特征在于，所述公共電極線與所述數據線平行。

8.根據權利要求7所述的陣列基板，其特征在于，在所述公共電極線的下面形成有源層部分圖案，且所述有源層部分圖案完全支撐起所述公共電極線。

9.一種陣列基板的制作方法，其特征在于，包括：

在透明基板上制作柵金屬薄膜，通過構圖工藝將所述柵金屬薄膜圖案化形成柵金屬層；所述柵金屬層包括：柵線，以及漏極正對區(qū)域比溝道正對區(qū)域厚度小的柵極；

在形成有柵金屬層的透明基板上形成柵絕緣層、有源層、源漏金屬層和公共電極、保護層以及像素電極層；其中，所述公共電極與所述源漏金屬層同層制作。

10.根據權利要求10所述的制作方法，其特征在于，形成所述有源層、源漏金屬層的過程具體為：

在形成有柵絕緣層的透明基板上制作半導體薄膜和源漏金屬薄膜，通過一次掩膜構圖工藝將所述半導體薄膜和源漏金屬薄膜圖案化形成有源層和源漏金屬層；所述源漏金屬層包括：數據線、薄膜晶體管的源極和漏極、以及公共電極線；其中，公共電極線與數據線無電連接。