[發明專利]具有動態感測區間的集成電路及其操作方法

有效

• 申請號: 201210073973.9
• 申請日: 2012-03-20
• 公開（公告）號: CN103325412A
• 公開（公告）日: 2013-09-25
• 發明（設計）人: 陳重光;陳漢松;洪俊雄
• 申請（專利權）人: 旺宏電子股份有限公司
• 主分類號: G11C11/56
• 分類號: G11C11/56;G11C16/10
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 周國城

1.一種集成電路，包含：

一存儲陣列具有一閾值定義，包括(i)多個閾值電壓范圍，其代表由該存儲陣列的一部份所儲存的數據值，以及(ii)一組感測區間分隔該多個閾值電壓范圍；其中

響應編程操作及擦除操作的其中至少之一，其是變動儲存于一存儲陣列的一部份中的數據值的一分布，而變動該存儲陣列的該部分的一閾值定義。

2.根據權利要求1所述的集成電路，其中該存儲陣列分割成多個存儲群組，該多個存儲群組中的存儲群組由該存儲群組所特定的閾值定義加以特性化，響應編程操作及擦除操作的其中至少之一，其是變動儲存于該多個存儲群組中的一存儲群組儲存的該數據值的一分布，而變動該多個存儲群組中的該存儲群組的一閾值定義。

3.根據權利要求1所述的集成電路，更包含：

控制電路，其變動該閾值定義。

4.根據權利要求1所述的集成電路，其中一測試機變動該閾值定義。

5.根據權利要求1所述的集成電路，其中該閾值定義通過變動該閾值電壓范圍來變動。

6.根據權利要求1所述的集成電路，其中該閾值定義通過根據該數據值的一相對分布所決定的該閾值電壓范圍的寬度來變動。

7.根據權利要求1所述的集成電路，其中該閾值定義通過決定該多個閾值電壓范圍的寬度來變動，使得于該存儲陣列的該部份內，一第一閾值電壓范圍較一第二閾值電壓范圍更寬，而響應該存儲陣列的該部份儲存一較大數量的由該第一閾值電壓范圍代表的一第一數據值，其是相對于由該第二閾值電壓范圍代表的一第二數據值。

8.根據權利要求1所述的集成電路，其中該閾值定義通過變動該組感測區間來變動。

9.根據權利要求1所述的集成電路，其中該閾值定義通過變動該閾值定義中的至少一個感測區間的至少一個位置來變動。

10.根據權利要求1所述的集成電路，更包括：

參考存儲器，儲存該存儲陣列的該部份補償該存儲陣列的該部份的該閾值定義變動的至少一存取特性偏移，

其中該至少一存取特性偏移包括一個或多個：

該存儲陣列的該部份編程驗證的一參考電流偏移，該存儲陣列的該部份編程驗證的一字線電平偏移，該存儲陣列的該部份讀取的一參考電流偏移，該存儲陣列的該部份讀取的一字線電平偏移；以及

其中根據該參考存儲器中的該至少一個存取特性偏移來存取該存儲陣列的該部份。

11.根據權利要求1所述的集成電路，更包括：

參考存儲器，儲存該存儲陣列的該部份的至少一存取特性偏移其修改該存儲陣列的該部份的存取；

其中該參考存儲器的一讀取時間不長于一字線存取該存儲陣列的該部份的設置時間。

12.根據權利要求1所述的集成電路，更包括：

字線驅動器與該存儲陣列耦接；

其中該存儲陣列包括一參考存儲器儲存該存儲陣列的該部份補償該存儲陣列的該部份的該閾值定義變動的至少一存取特性偏移，及該存儲陣列的該部份的該參考存儲器較該存儲陣列的該部份更靠近該字線驅動器。

13.根據權利要求1所述的集成電路，更包括：

第一多條字線具有第一長度存取該存儲陣列；

第二存儲陣列包括一參考存儲器儲存該存儲陣列的該部份補償該存儲陣列的該部份的該閾值定義變動的至少一存取特性偏移；

第二多條字線具有第二長度存取該第二存儲陣列，該第二長度較該第一長度更短。

14.根據權利要求1所述的集成電路，更包括：

參考存儲器，儲存該存儲陣列的該部份補償該存儲陣列的該部份的該閾值定義變動的至少一存取特性偏移；

其中該參考存儲器使用具有錯誤更正碼的方式存取。

15.根據權利要求1所述的集成電路，其中該閾值定義會變動，而響應儲存于該存儲陣列的該部份中的不同相對數量的該數據值。

16.根據權利要求15所述的集成電路，其中該相對數量是儲存于該存儲陣列的該部份的該多個數據值之一的一第一數量相對于儲存于該存儲陣列的該部份的一個或多個其他數據值的一個或多個其他數量的一個比例或百分比。