[發(fā)明專利]化合物鋇鉍硼氧和化合物鋇鉍硼氧光學(xué)晶體及其制備方法和用途有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201210073879.3 | 申請(qǐng)日: | 2012-03-20 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN102586878A | 公開(kāi)(公告)日: | 2012-07-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 潘世烈;董孝宇 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中國(guó)科學(xué)院新疆理化技術(shù)研究所 |
| 主分類號(hào): | C30B29/22 | 分類號(hào): | C30B29/22;C30B9/04;C01B35/12 |
| 代理公司: | 烏魯木齊中科新興專利事務(wù)所 65106 | 代理人: | 張莉 |
| 地址: | 830011 新疆維吾爾*** | 國(guó)省代碼: | 新疆;65 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 化合物 鋇鉍硼氧 光學(xué) 晶體 及其 制備 方法 用途 | ||
1.一種化合物鋇鉍硼氧,其特征在于該化合物的化學(xué)式為BaBiOBO3,分子量421.13,采用固相反應(yīng)法合成化合物。
2.一種化合物鋇鉍硼氧光學(xué)晶體,其特征在于該晶體的化學(xué)式為BaBiOBO3,分子量421.13,晶體屬正交晶系,空間群Pnma,晶胞參數(shù)為
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的化合物鋇鉍硼氧光學(xué)晶體的制備方法,其特征在于采用固相反應(yīng)法合成化合物及采用加入助溶劑生長(zhǎng)晶體,具體操作步驟按下進(jìn)行:
a、將鋇鉍硼氧化合物中加入助熔劑,鋇鉍硼氧化合物與助熔劑的摩爾比為1∶1-3,加熱至溫度850-900℃,恒溫5-80小時(shí),得到含鋇鉍硼氧與助熔劑的混合熔液;
b、制備鋇鉍硼氧籽晶:將步驟a得到混合熔液以溫度0.5-10℃/h的速率緩慢降至室溫,自發(fā)結(jié)晶獲得鋇鉍硼氧籽晶;
c、將盛有步驟a制得的混合熔液的坩堝置入晶體生長(zhǎng)爐中,溫度850-900℃,將步驟b得到的籽晶固定于籽晶桿上,從晶體生長(zhǎng)爐頂部下籽晶,先預(yù)熱籽晶5-60分鐘,將籽晶下至接觸混合熔液的液面進(jìn)行回熔或?qū)⒆丫轮粱旌先垡褐羞M(jìn)行回熔,恒溫5-60分鐘,以溫度1-60℃/h的速率再降溫至600-700℃。
d、再以溫度0.1-5℃/天的速率緩慢降溫,以0-60rpm轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)籽晶桿進(jìn)行晶體的生長(zhǎng),待單晶生長(zhǎng)到所需尺度后,將晶體提離混合熔液表面,并以溫度1-80℃/h速率降至室溫,然后將晶體從爐膛中取出,即可得到鋇鉍硼氧光學(xué)晶體。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法,其特征在于步驟a所述鋇鉍硼氧化合物為含鋇、含鉍和含硼化合物的混合物,其中含鋇化合物為碳酸鋇、硝酸鋇、氫氧化鋇或氧化鋇鉍;含鉍化合物為氧化鉍;含硼化合物為硼酸或氧化硼。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述方法,其特征在于步驟a所述助熔劑為Bi2O3-H3BO3、Bi2O3-LiF或Bi2O3,其中Bi2O3-H3BO3體系中,Bi2O3與H3BO3的摩爾比為1∶2-3,Bi2O3-LiF體系中,Bi2O3與LiF的摩爾比為1∶2。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的鋇鉍硼氧光學(xué)晶體的用途,其特征在于所述鋇鉍硼氧光學(xué)晶體用于制作光通信元件,即光隔離器,環(huán)形器,光束位移器,光學(xué)起偏器或光學(xué)調(diào)制器。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的鋇鉍硼氧光學(xué)晶體的用途,其特征在于所述鋇鉍硼氧光學(xué)晶體用于制作各種的偏光棱鏡,即相位延遲器件和電光調(diào)制器件。
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