[發明專利]一種摻雜電阻率均勻的N型鑄造硅多晶及其制備方法有效
| 申請號： | 201210073813.4 | 申請日： | 2012-03-20 |
| 公開（公告）號： | CN102560641A | 公開（公告）日： | 2012-07-11 |
| 發明（設計）人： | 余學功;肖承全;楊德仁 | 申請（專利權）人： | 浙江大學 |
| 主分類號： | C30B28/06 | 分類號： | C30B28/06;C30B29/06 |
| 代理公司： | 杭州天勤知識產權代理有限公司 33224 | 代理人： | 胡紅娟 |
| 地址： | 310027 浙*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 摻雜 電阻率 均勻 鑄造 多晶 及其 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種制備摻雜電阻率均勻的N型鑄造硅多晶的方法，其特征在于：將多晶硅料、磷摻雜劑和鎵混合后熔融，再利用鑄造法生長硅多晶體。
2.如權利要求1所述的制備摻雜電阻率均勻的N型鑄造硅多晶的方法，其特征在于：所述的磷摻雜劑為磷粉或磷硅母合金。
3.如權利要求1所述的制備摻雜電阻率均勻的N型鑄造硅多晶的方法，其特征在于：所述的熔融以及鑄造法生長硅多晶在真空或氬氣的保護下進行。
4.如權利要求1所述的制備摻雜電阻率均勻的N型鑄造硅多晶的方法，其特征在于：所述的多晶硅料為高純電子級硅料。
5.如權利要求1所述的制備摻雜電阻率均勻的N型鑄造硅多晶的方法，其特征在于：所述的多晶硅料為冶金級補償硅料。
6.如權利要求1～5任一項所述的制備摻雜電阻率均勻的N型鑄造硅多晶的方法制備得到的N型鑄造硅多晶。
7.如權利要求6所述的N型鑄造硅多晶，其特征在于，電子凈摻雜濃度為2.0e15～5.0e15cm-3。
8.如權利要求7所述的N型鑄造硅多晶，其特征在于，電阻率為1.0～2.0Ω.cm。
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