[發(fā)明專利]電路板及其制作方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210073659.0
• 申請(qǐng)日: 2012-03-20
• 公開（公告）號(hào): CN103327748A
• 公開（公告）日: 2013-09-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 楊樹平;孔全偉;黃海剛
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 宏啟勝精密電子(秦皇島)有限公司;臻鼎科技股份有限公司
• 主分類號(hào): H05K3/28
• 分類號(hào): H05K3/28;H05K1/02
• 代理公司: 暫無(wú)信息
• 代理人: 暫無(wú)信息

1.一種電路板的制作方法，包括步驟：

提供電路基板，所述電路基板包括依次堆疊的基底、絕緣層及第一銅箔層，所述電路基板具有產(chǎn)品區(qū)及與產(chǎn)品區(qū)連接的廢料區(qū)；

蝕刻電路基板，以將所述產(chǎn)品區(qū)的第一銅箔層形成導(dǎo)電線路，并在所述廢料區(qū)形成貫穿第一銅箔層的多個(gè)第一導(dǎo)氣槽，所述多個(gè)第一導(dǎo)氣槽彼此相鄰且相互平行，多個(gè)第一導(dǎo)氣槽均自產(chǎn)品區(qū)與廢料區(qū)的交界向遠(yuǎn)離產(chǎn)品區(qū)的方向延伸；以及

將具有至少一個(gè)第一導(dǎo)氣通孔的第一覆蓋膜貼合于電路基板的第一銅箔層，以使第一覆蓋膜貼合在產(chǎn)品區(qū)的導(dǎo)電線路的表面，并遮蔽廢料區(qū)的多個(gè)第一導(dǎo)氣槽，每個(gè)第一導(dǎo)氣槽均與一個(gè)第一導(dǎo)氣通孔相連通。

2.如權(quán)利要求1所述的電路板的制作方法，其特征在于，每個(gè)第一導(dǎo)氣槽的寬度為0.1毫米至0.3毫米，相鄰兩個(gè)第一導(dǎo)氣槽的間距為0.1毫米至0.3毫米。

3.如權(quán)利要求1所述的電路板的制作方法，其特征在于，所述電路基板還包括設(shè)置在絕緣層及第一銅箔層之間的第一粘膠層，所述多個(gè)第一導(dǎo)氣槽貫穿第一銅箔層和第一粘膠層。

4.如權(quán)利要求1所述的電路板的制作方法，其特征在于，在提供電路基板之后，還包括在電路基板上開設(shè)多個(gè)第一對(duì)位孔的步驟；在將第一覆蓋膜貼合于電路基板的第一銅箔層之前，在第一覆蓋膜中開設(shè)多個(gè)第一開口、多個(gè)第二對(duì)位孔及所述至少一個(gè)第一導(dǎo)氣通孔，所述多個(gè)第一開口對(duì)應(yīng)于第一銅箔層的導(dǎo)電線路中的邊接頭及焊盤，所述多個(gè)第二對(duì)位孔與多個(gè)第一對(duì)位孔相對(duì)應(yīng)；在第一覆蓋膜中開設(shè)多個(gè)第二對(duì)位孔之后且在將第一覆蓋膜貼合于電路基板的第一銅箔層之前，通過(guò)多個(gè)第一對(duì)位孔和多個(gè)第二對(duì)位孔的配合將第一覆蓋膜與電路基板對(duì)齊。

5.如權(quán)利要求1所述的電路板的制作方法，其特征在于，所述電路基板的基底包括第二銅箔層；在蝕刻電路基板的第一銅箔層時(shí)，還蝕刻所述第二銅箔層，以將所述產(chǎn)品區(qū)的第二銅箔層形成導(dǎo)電線路，并在所述廢料區(qū)形成貫穿第二銅箔層的多個(gè)第二導(dǎo)氣槽，所述多個(gè)第二導(dǎo)氣槽彼此相鄰且相互平行，多個(gè)第二導(dǎo)氣槽均自產(chǎn)品區(qū)與廢料區(qū)的交界向遠(yuǎn)離產(chǎn)品區(qū)的方向延伸；在將第一覆蓋膜貼合于電路基板的第一銅箔層之后，提供具有至少一個(gè)第二導(dǎo)氣通孔的第二覆蓋膜，并將第二覆蓋膜貼合于電路基板的第二銅箔層表面，以使第二覆蓋膜遮蔽廢料區(qū)的多個(gè)第二導(dǎo)氣槽，每個(gè)第二導(dǎo)氣槽均與一個(gè)第二導(dǎo)氣通孔相連通。

6.如權(quán)利要求5所述的電路板的制作方法，其特征在于，每個(gè)第二導(dǎo)氣槽的寬度為0.1毫米至0.3毫米，相鄰兩個(gè)第二導(dǎo)氣槽的間距為0.1毫米至0.3毫米。

7.一種電路板，其包括依次堆疊的基底、絕緣層、第一銅箔層及第一覆蓋膜，所述電路板具有產(chǎn)品區(qū)及與產(chǎn)品區(qū)連接的廢料區(qū)，所述產(chǎn)品區(qū)的第一銅箔層形成有導(dǎo)電線路，所述廢料區(qū)形成有貫穿第一銅箔層且被第一覆蓋膜遮蔽的多個(gè)第一導(dǎo)氣槽，所述多個(gè)第一導(dǎo)氣槽彼此相鄰且相互平行，多個(gè)第一導(dǎo)氣槽均自產(chǎn)品區(qū)與廢料區(qū)的交界向遠(yuǎn)離產(chǎn)品區(qū)的方向延伸，所述第一覆蓋膜的廢料區(qū)形成有至少一個(gè)第一導(dǎo)氣通孔，每個(gè)第一導(dǎo)氣槽均與一個(gè)第一導(dǎo)氣通孔相連通。

8.如權(quán)利要求7所述的電路板，其特征在于，每個(gè)第一導(dǎo)氣槽的寬度為0.1毫米至0.3毫米，相鄰兩個(gè)第一導(dǎo)氣槽的間距為0.1毫米至0.3毫米。

9.如權(quán)利要求7所述的電路板，其特征在于，所述基底包括第二銅箔層，所述電路板還包括設(shè)置在第二銅箔層遠(yuǎn)離絕緣層一側(cè)的第二覆蓋膜，所述產(chǎn)品區(qū)的第二銅箔層也形成有導(dǎo)電線路，所述廢料區(qū)還形成有貫穿第二銅箔層且被第二覆蓋膜遮蔽的多個(gè)第二導(dǎo)氣槽，所述多個(gè)第二導(dǎo)氣槽彼此相鄰且相互平行，多個(gè)第二導(dǎo)氣槽均自產(chǎn)品區(qū)與廢料區(qū)的交界向遠(yuǎn)離產(chǎn)品區(qū)的方向延伸，所述第二覆蓋膜的廢料區(qū)形成有至少一個(gè)第二導(dǎo)氣通孔，每個(gè)第二導(dǎo)氣槽均與一個(gè)第二導(dǎo)氣通孔相連通。

10.如權(quán)利要求9所述的電路板，其特征在于，每個(gè)第二導(dǎo)氣槽的寬度為0.1毫米至0.3毫米，相鄰兩個(gè)第二導(dǎo)氣槽的間距為0.1毫米至0.3毫米。