[發明專利]一種數據存儲設備及其制造方法

有效

• 申請號: 201210073398.2
• 申請日: 2012-03-20
• 公開（公告）號: CN102610744A
• 公開（公告）日: 2012-07-25
• 發明（設計）人: 李宗霖
• 申請（專利權）人: 李宗霖
• 主分類號: H01L43/12
• 分類號: H01L43/12;H01L43/10;H01G4/008;H01G4/08
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種數據存儲設備的制造方法，該方法包括如下步驟：

形成晶體管；

形成電容器，將晶體管與電容器電連接；

其中，形成所述電容器包括如下步驟：

形成基板，

在基板上形成下電極，

在下電極上形成導電層，

在導電層上形成鐵酸鉍層，

在鐵酸鉍層上形成上電極；其特征在于：

導電層為鈣鈦礦結構的材料；

采用濺射法或化學氣相沉積法形成鐵酸鉍層；

其中，采用濺射法形成該鐵酸鉍層的步驟為：

將Bi203和Fe203混合后形成混合體，

將該混合體形成鐵酸鉍靶材，

在背景壓力為10^-6~10^-4托時，通入氧氣與氬氣，工作壓力為20~40托，將基板加熱至200~500攝氏度進行濺射；

采用化學氣相沉積法形成鐵酸鉍層的步驟為：

形成先驅體，所述先驅體優選包括鐵酸鹽、鉍酸鹽和溶劑，該鉍酸鹽和該鐵酸鹽的摩爾比例優選在1∶1和2∶1之間；

將該先驅體涂布于該導電層上，

加熱至一定溫度后退火處理，所述退火處理的溫度優選為350~700攝氏度之間。

2.如權利要求1所述的數據存儲設備的制造方法，其特征在于，所述導電層優選為鎳酸鑭或鉛酸鋇。

3.一種數據存儲設備，其特征在于，該數據存儲設備是根據權利要求1所述的方法制備的數據存儲設備。

4.如權利要求3所述的數據存儲設備，其特征在于，所述導電層優選為鎳酸鑭或鉛酸鋇。