[發明專利]一種結型場效應晶體管的制作方法

無效

• 申請號: 201210073370.9
• 申請日: 2012-03-20
• 公開（公告）號: CN102881593A
• 公開（公告）日: 2013-01-16
• 發明（設計）人: 鄭志星
• 申請（專利權）人: 成都芯源系統有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.??一種結型場效應晶體管（JFET）的制作方法，包括：

制作具有第二摻雜類型的柵極區；

制作具有溝道尺寸的溝道區；

制作具有第一摻雜類型的源極區；以及

制作具有第一摻雜類型的漏極區；其中

通過調節柵極區的布局寬度來控制溝道區的溝道尺寸。

2.??如權利要求1所述的制作方法，其中柵極區的制作步驟包括：

在半導體襯底上方制作具有第一摻雜類型的外延層；

在外延層上方放置光阻層；

在光阻層上制作具有布局寬度的柵極開口；以及

通過柵極開口向外延層內注入具有第二摻雜類型的雜質，并進行熱退火工藝以制作柵極區。

3.??如權利要求1所述的制作方法，其中柵極區和溝道區的制作步驟包括：

通過掩膜在襯底上制作具有第二摻雜類型的柵極區，其中該掩膜包含具有布局寬度的開口；

在柵極區上方制作氧化層；

使用柵極區上方的氧化層作為掩膜制作具有第一摻雜類型的阱區；以及

在柵極區下方進行熱退火工藝，側邊擴散阱區以制作溝道區。

4.??如權利要求1至3中任一項所述的制作方法，其中布局寬度的調整與JFET器件所需的門限電壓負相關，和/或與JFET器件所需的載流能力負相關。

5.??一種結型場效應晶體管（JFET）的制作方法，包括：

采用同一掩膜在半導體襯底上制作具有不同布局寬度的多個柵極區和具有不同溝道尺寸的多個溝道區，該多個柵極區具有第二摻雜類型；以及

制作多個位于柵極區兩側的漏極區和源極區，該多個源極區和漏極區具有第一摻雜類型；其中

通過調節多個柵極區的布局寬度來分別控制多個溝道區的溝道尺寸。

6.??如權利要求5所述的制作方法，其中柵極區的制作步驟包括：

在半導體襯底上生長具有第一摻雜類型的外延層；

在外延層上淀積光阻層；

在光阻層上制作多個與柵極區布局寬度對應的開口；

通過光阻層的多個開口向外延層內注入具有第二摻雜類型的雜質，并進行熱退火工藝以形成多個柵極區。

7.??一種結型場效應晶體管（JFET）的制作方法，包括：

制作具有第一摻雜類型的第一阱區；

制作具有第二摻雜類型的柵極區，該柵極區與第一阱區互補；

制作具有第一摻雜類型的溝道區，該溝道區具有溝道尺寸；

制作具有第一摻雜類型的源極區；

制作具有第一摻雜類型的漏極區；其中

通過調節第一阱區的布局寬度來控制溝道區的溝道尺寸。

8.??如權利要求7所述的制作方法，其中柵極區的制作步驟包括：

在第一阱區的表面上方制作氧化層；

使用氧化層作為掩膜，注入具有第二摻雜類型的雜質以形成柵極區。

9.??如權利要求8所述的制作方法，其中制作溝道區的步驟包括在柵極區下方進行熱退火工藝以側邊擴散第一阱區。

10.如權利要求7所述的制作方法，其中根據JFET所需的門限電壓和/或所需的載流能力來調節第一阱區的布局寬度。