[發(fā)明專利]基于量子點(diǎn)-量子阱混合結(jié)構(gòu)的鎖模半導(dǎo)體激光器無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201210073343.1 | 申請(qǐng)日： | 2012-03-19 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN102593720A | 公開(kāi)（公告）日： | 2012-07-18 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 蘇輝 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 中國(guó)科學(xué)院福建物質(zhì)結(jié)構(gòu)研究所 |
| 主分類號(hào)： | H01S5/34 | 分類號(hào)： | H01S5/34;H01S5/20;H01S5/343 |
| 代理公司： | 暫無(wú)信息 | 代理人： | 暫無(wú)信息 |
| 地址： | 350002 *** | 國(guó)省代碼： | 福建;35 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說(shuō)明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 基于 量子 混合結(jié)構(gòu) 半導(dǎo)體激光器 | ||
1.一種鎖模半導(dǎo)體激光器，含有上電極層、下電極層和波導(dǎo)層結(jié)構(gòu)，其特征在于：波導(dǎo)層含有量子點(diǎn)-量子阱混合區(qū)。
2.如權(quán)利要求1所述的鎖模半導(dǎo)體激光器，其特征在于：所述量子點(diǎn)-量子阱混合區(qū)，是在材料生長(zhǎng)方向上，分為量子阱層和量子點(diǎn)層，量子點(diǎn)層位于量子阱層之上。
3.如權(quán)利要求1所述的鎖模半導(dǎo)體激光器，其特征在于：所述量子點(diǎn)-量子阱混合區(qū)，是在垂直于材料生長(zhǎng)方向上，分為量子阱區(qū)和量子點(diǎn)區(qū)。
4.如權(quán)利要求3所述的鎖模半導(dǎo)體激光器，其特征在于：所述量子點(diǎn)-量子阱混合區(qū)，含有多個(gè)量子阱區(qū)和量子點(diǎn)區(qū)。
5.如權(quán)利要求3或4所述的鎖模半導(dǎo)體激光器，其特征在于：所述的量子點(diǎn)區(qū)和量子阱區(qū)的上電極是分開(kāi)的，中間有電極隔離條區(qū)。
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