[發明專利]半導體器件制造方法和半導體器件

無效

• 申請號: 201210071952.3
• 申請日: 2012-03-15
• 公開（公告）號: CN102683223A
• 公開（公告）日: 2012-09-19
• 發明（設計）人: 高橋典之
• 申請（專利權）人: 瑞薩電子株式會社
• 主分類號: H01L21/50
• 分類號: H01L21/50;H01L21/60;H01L21/56;H01L23/31;H01L23/495
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 王茂華;鄭菊

1.一種半導體器件制造方法，包括以下步驟：

(a)提供第一構件，所述第一構件包括第一上表面以及與所述第一上表面相反的第一下表面；

(b)在所述第一構件的所述第一上表面之上裝配半導體芯片，所述半導體芯片包括前表面、形成于所述前表面處的多個電極焊盤以及與所述前表面相反的背表面；

(c)經由多個接線將所述半導體芯片的所述電極焊盤與布置于所述半導體芯片周圍的多個端子電連接；

(d)在所述步驟(c)之后，在所述第一構件的所述第一上表面之上布置第二構件，所述第二構件包括第二上表面、與所述第二上表面相反的第二下表面以及形成于所述第二下表面側上的空間形成部分，并且經由密封材料將所述第一構件的所述第一上表面鍵合到在所述第二構件的所述空間形成部分以外提供的粘合表面，并且形成空間以便在所述第一構件與所述第二構件之間中容納所述半導體芯片和所述接線；并且

(e)在所述步驟(d)之后，用樹脂密封在所述第一構件與所述第二構件之間的接合部分，從而分別暴露所述第二構件的整個所述第二上表面和所述第一構件的整個所述第一下表面。

2.根據權利要求1所述的半導體器件制造方法，其中所述步驟(e)包括以下步驟：向布置于模制模具型空腔中的所述第一構件和所述第二構件供應用于密封的樹脂；并且向所述用于密封的樹脂施加壓力。

3.根據權利要求2所述的半導體器件制造方法，

其中在所述步驟(c)中，所述接線分別鍵合到所述端子的鍵合區域，并且

其中所述端子的所述鍵合區域布置于所述第一構件的所述第一上表面之上。

4.根據權利要求3所述的半導體器件制造方法，

其中所述第二構件具有布置成包圍所述空間形成部分并且具有所述粘合表面的凸緣，并且

其中所述凸緣朝著所述空間形成部分以外突出。

5.根據權利要求4所述的半導體器件制造方法，其中所述步驟(b)包括以下步驟：

(b1)分別提供第一半導體芯片和第二半導體芯片，所述第一半導體芯片包括形成于其中的傳感器電路并且具有第一前表面、形成于所述第一前表面處的多個第一電極焊盤、以及與所述第一前表面相反的第一背表面，所述第二半導體芯片包括形成于其中的用于控制所述第一半導體芯片的控制電路并且具有第二前表面、形成于所述第二前表面處的多個第二電極焊盤以及與所述第二前表面相反的第二背表面；

(b2)經由第一粘合劑在所述第一構件之上裝配所述第二半導體芯片；并且

(b3)經由第二粘合劑在所述第二半導體芯片的所述第二前表面之上裝配所述第一半導體芯片。

6.根據權利要求5所述的半導體器件制造方法，其中所述第一構件是包括板狀金屬材料的板狀構件，并且所述端子經由絕緣粘合劑鍵合到所述第一構件的所述第一上表面。

7.根據權利要求6所述的半導體器件制造方法，

其中所述步驟(d)包括以下步驟：

(d1)布置所述第二構件使得每個所述端子從所述第二構件的所述空間的內側朝著所述空間以外延伸；并且

(d2)在所述相鄰端子之間中嵌入所述密封材料，

其中所述密封材料和所述第一粘合劑分別具有膏狀性質，并且所述密封材料的粘性低于所述第一粘合劑的粘性。

8.根據權利要求2所述的半導體器件制造方法，其中所述半導體芯片包括可移動部分以及與所述可移動部分電連接的傳感器電路。

9.根據權利要求2所述的半導體器件制造方法，

其中所述半導體芯片包括多個光接收元件形成于其中的光接收區域以及與所述光接收元件電連接的傳感器電路，并且

其中所述第二構件包括布置于所述半導體芯片的所述光接收區域之上的透明部分和用于支撐所述透明部分的支撐部分。

10.根據權利要求9所述的半導體器件制造方法，

其中所述支撐部分由所述金屬材料形成并且包括用于支撐所述透明部分的上表面和形成于所述半導體芯片的所述光接收區域之上的開口，并且

其中比所述半導體芯片的所述前表面更寬地形成所述開口。