[發(fā)明專利]一種籽晶鋪設(shè)方法、鑄造準(zhǔn)單晶硅錠的方法及準(zhǔn)單晶硅片

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210071792.2
• 申請日: 2012-03-19
• 公開（公告）號: CN103320853A
• 公開（公告）日: 2013-09-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 路景剛
• 申請（專利權(quán)）人: 鎮(zhèn)江榮德新能源科技有限公司
• 主分類號: C30B28/06
• 分類號: C30B28/06;C30B29/06;H01L31/036
• 代理公司: 北京金信立方知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11225
• 代理人: 黃威;張彬

1.一種籽晶鋪設(shè)方法，用于鑄造準(zhǔn)單晶硅錠，所述籽晶并列抵靠鋪設(shè)在坩堝底部，其特征在于，所述籽晶為兩塊或兩塊以上；當(dāng)所述籽晶為兩塊時，兩塊所述籽晶的晶向成預(yù)定夾角設(shè)置，其中一塊為偏<100>籽晶，另一塊是偏<100>籽晶或晶向?yàn)?lt;100>的籽晶；當(dāng)所述籽晶為兩塊以上時，至少一對相鄰的所述籽晶的晶向成預(yù)定夾角設(shè)置，其中每對所述成預(yù)定夾角設(shè)置的籽晶中的一塊為偏<100>籽晶，另一塊為偏<100>籽晶或晶向?yàn)?lt;100>的籽晶；所述偏<100>籽晶的晶向與所述晶向?yàn)?lt;100>的籽晶的晶向成1-12°的夾角。

2.如權(quán)利要求1所述的籽晶鋪設(shè)方法，其特征在于，所述預(yù)定夾角為2-24°的夾角。

3.如權(quán)利要求1所述的籽晶鋪設(shè)方法，其特征在于，所述籽晶覆蓋所述坩堝底部40%及其以上的面積。

4.一種鑄造準(zhǔn)單晶硅錠的方法，包括在坩堝底部鋪設(shè)籽晶的步驟，所述籽晶并列抵靠鋪設(shè)在所述坩堝底部，其特征在于,所述籽晶為兩塊或兩塊以上；當(dāng)所述籽晶為兩塊時，兩塊所述籽晶的晶向成預(yù)定夾角設(shè)置，其中一塊為偏<100>籽晶，另一塊是偏<100>籽晶或晶向?yàn)?lt;100>的籽晶；當(dāng)所述籽晶為兩塊以上時，至少一對相鄰的所述籽晶的晶向成預(yù)定夾角設(shè)置，其中每對所述成預(yù)定夾角設(shè)置的籽晶中的一塊為偏<100>籽晶，另一塊為偏<100>籽晶或晶向?yàn)?lt;100>的籽晶；所述偏<100>籽晶的晶向與所述晶向?yàn)?lt;100>的籽晶的晶向成1-12°的夾角。

5.如權(quán)利要求4所述的鑄造準(zhǔn)單晶硅錠的方法，其特征在于，所述預(yù)定夾角為2-24°的夾角。

6.如權(quán)利要求4所述的鑄造準(zhǔn)單晶硅錠的方法，其特征在于，所述籽晶覆蓋所述坩堝底部40%及其以上的面積。

7.一種準(zhǔn)單晶硅片，其特征在于，所述準(zhǔn)單晶硅片是按照權(quán)利要求4至6中任一項(xiàng)所述的鑄造準(zhǔn)單晶硅錠的方法制得的準(zhǔn)單晶硅錠切割后制得的準(zhǔn)單晶硅片。

8.一種太陽電池，其特征在于，包括權(quán)利要求7所述的準(zhǔn)單晶硅片經(jīng)制絨后獲得的準(zhǔn)單晶電池片。