[發明專利]內建數字電源電路

有效

• 申請號: 201210071714.2
• 申請日: 2012-03-16
• 公開（公告）號: CN102591401A
• 公開（公告）日: 2012-07-18
• 發明（設計）人: 賈曉偉;鄧龍利;王帥旗
• 申請（專利權）人: 北京經緯恒潤科技有限公司
• 主分類號: G05F3/26
• 分類號: G05F3/26
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 逯長明

1.一種內建數字電源電路，其特征在于，包括：第一鏡像電流源、第二鏡像電流源、第三鏡像電流源、第四鏡像電流源、第一電流源、第二電流源、以及內建模擬電源；

所述第一鏡像電流源包括第一電流支路和第二電流支路；

所述第二鏡像電流源包括第三電流支路和第四電流支路；

所述第三鏡像電流源包括第五電流支路和第六電流支路；

所述第四鏡像電流源包括第七電流支路和第八電流支路；

所述第一電流支路的一端與所述第一電流源連接，另一端接地；

所述第二電流支路的一端與所述第三電流支路的一端連接，所述第二電流支路的另一端接地，所述第三電流支路的另一端與外部電源電壓連接；

所述第四電流支路的一端與所述外部電源電壓連接，另一端與所述第五電流支路的一端連接，所述第五電流支路的另一端接地；

所述第六電流支路的一端與所述內建模擬電源連接，另一端與所述第七電流支路的一端連接，所述第七電流支路的另一端接地；

所述第八電流支路的一端與所述第二電流源連接，另一端接地；

所述第四電流支路和所述第五電流支路的公共端為輸出端，用于輸出所述內建數字電源電路的電壓。

2.如權利要求1所述內建數字電源電路，其特征在于，還包括第一電容和第二電容；

所述第一電容的一極板與所述第五電流支路和所述第六電流支路的公共端相連，另一極板接地；

所述第二電容的一極板與輸出端相連，另一極板接地。

3.如權利要求1或2所述內建數字電源電路，其特征在于，

第一電流支路為第一高壓NMOS管形成的電流支路，第二電流支路為第二高壓NMOS管形成的電流支路；；

第三電流支路為第一高壓PMOS管形成的電流支路，第四電流支路為第二高壓PMOS管形成的電流支路；

第五電流支路為第二低壓PMOS管形成的電流支路，第六電流支路為第一低壓PMOS管形成的電流支路；

第七電流支路為第二低壓NMOS管形成的電流支路，第八電流支路為第一低壓NMOS管形成的電流支路；

其中：

所述第一高壓NMOS管的柵極與自身的漏極相連，且所述第一高壓NMOS管的柵極與所述第二高壓NMOS管的柵極相連，所述第一高壓NMOS管的漏極連接所述第一電流源，所述第一高壓NMOS管的源極及襯底連接地端；

所述第二高壓NMOS管的漏極與所述第一高壓PMOS管的漏極連接，所述第二高壓NMOS管的源極及襯底連接地端；

所述第一高壓PMOS管的柵極與自身的漏極相連，所述第一高壓PMOS管的源極及襯底與外部電源電壓連接；

所述第二高壓PMOS管的柵極與所述第一高壓PMOS管的柵極連接，所述第二高壓PMOS管的源極及襯底與所述外部電源電壓連接，所述第二高壓PMOS管的漏極與所述第二低壓PMOS管的源極連接；

所述第二低壓PMOS管的漏極連接地端，所述第二低壓PMOS管的襯底連接其自身的源極；

所述第一低壓PMOS管的柵極與自身的漏極相連，與所述第二低壓PMOS管的柵極連接，所述第一低壓PMOS管的源極及襯底與所述內建模擬電源連接，所述第一低壓PMOS管的漏極與所述第二低壓NMOS管的漏極連接；

所述第二低壓NMOS管的源極及襯底連接地端，所述第二低壓NMOS管的柵極與所述第一低壓NMOS管的柵極連接；

所述第一低壓NMOS管的柵極與自身的漏極相連，且所述第一低壓NMOS管的漏極與所述第二電流源連接，所述第一低壓NMOS管的源極及襯底連接地端。