[發(fā)明專利]發(fā)光二極管顯示背板及其制造方法、顯示裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201210071397.4 | 申請(qǐng)日: | 2012-03-16 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN102705790A | 公開(kāi)(公告)日: | 2012-10-03 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 姜春生 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 京東方科技集團(tuán)股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | F21V21/002 | 分類號(hào): | F21V21/002;F21Y101/02 |
| 代理公司: | 北京銀龍知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11243 | 代理人: | 許靜;姜精斌 |
| 地址: | 100015 *** | 國(guó)省代碼: | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 發(fā)光二極管 顯示 背板 及其 制造 方法 顯示裝置 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及顯示領(lǐng)域,特別是指一種發(fā)光二極管顯示背板及其制造方法、顯示裝置。
背景技術(shù)
OLED(Organic?Light-Emitting?Diode,有機(jī)發(fā)光二極管)/PLED(polymer?light-emitting?diode,高分子發(fā)光二極管)顯示背板由玻璃基板、ITO(indium?tin?oxide,銦錫氧化物)陽(yáng)極(Anode)、有機(jī)發(fā)光層(Emitting?Material?Layer)與陰極(Cathode)等所組成,其中,薄而透明的ITO陽(yáng)極與金屬陰極如同三明治般地將有機(jī)發(fā)光層包夾其中,當(dāng)電壓注入陽(yáng)極的空穴(Hole)與陰極來(lái)的電子(Electron)在有機(jī)發(fā)光層結(jié)合時(shí),激發(fā)有機(jī)發(fā)光層中的有機(jī)材料而發(fā)光。
現(xiàn)有在制備發(fā)光二極管顯示背板時(shí),是在玻璃基板上涂覆光刻膠,進(jìn)行曝光顯影之后形成像素界定層(Pixel?define?layer,PDL)以界定出像素區(qū),之后再通過(guò)打印技術(shù)在像素區(qū)中滴入發(fā)光材料的液滴,但是現(xiàn)有的顯示背板采用的高分辨率像素尺寸為30μm×180μm,而打印形成液滴的直徑>30μm,這樣打印形成的液滴及像素的尺寸就處于同一個(gè)尺寸范圍。為了保證打印后的液滴順利、平整地鋪滿像素界定層界定的像素區(qū)內(nèi),避免液滴流到相鄰的像素區(qū),需要對(duì)PDL層表面的潤(rùn)濕特性進(jìn)行改進(jìn)。目前主要利用60%的CF4在CVD(Chemical?Vapor?Deposition,化學(xué)氣相沉積)的環(huán)境中對(duì)PDL層表面進(jìn)行氟化處理,從而改進(jìn)PDL層表面的潤(rùn)濕特性,但是此方法需要增加設(shè)備的投入,增加了發(fā)光二極管顯示背板的制造成本,不利于大規(guī)模生產(chǎn)。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種發(fā)光二極管顯示背板及其制造方法、顯示裝置,能夠使發(fā)光材料平鋪于發(fā)光二極管顯示背板上,改善發(fā)光二極管顯示背板的發(fā)光質(zhì)量。
為解決上述技術(shù)問(wèn)題,本發(fā)明的實(shí)施例提供技術(shù)方案如下:
一方面,提供一種發(fā)光二極管顯示背板的制造方法,包括:
在基板上形成透明導(dǎo)電的陽(yáng)極電極;
在形成有所述陽(yáng)極電極的基板上形成由第一像素界定層和第二像素界定層界定出的像素區(qū),所述第二像素界定層位于所述第一像素界定層之上,所述第一像素界定層由親水性材料形成,所述第二像素界定層由疏水性材料形成;
在所述像素區(qū)中注入發(fā)光材料,形成由所述發(fā)光材料組成的發(fā)光層;
在形成有所述發(fā)光層的基板上形成導(dǎo)電的陰極電極。
進(jìn)一步地,所述第一像素界定層的厚度為0.5μm-1μm,所述第二像素界定層的厚度為0.5μm。
進(jìn)一步地,所述第一像素界定層由包含有SiNx的光刻膠形成,所述第二像素界定層由光刻膠形成。
進(jìn)一步地,所述第一像素界定層中,光刻膠與SiNx的質(zhì)量比為10∶1。
進(jìn)一步地,在所述像素區(qū)中注入發(fā)光材料,形成由所述發(fā)光材料組成的發(fā)光層之前還包括:
將所述基板放入100℃-140℃的環(huán)境中保溫1min-5min,使所述第二像素界定層的表面能級(jí)密度為60-120mJ/cm2。
本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種發(fā)光二極管顯示背板,包括:
基板;
形成在所述基板上、透明導(dǎo)電的陽(yáng)極電極;
形成在上述基板上、由第一像素界定層和第二像素界定層界定出的像素區(qū),所述第二像素界定層位于所述第一像素界定層之上,所述第一像素界定層由親水性材料形成,所述第二像素界定層由疏水性材料形成;
形成在所述像素區(qū)內(nèi)、由發(fā)光材料組成的發(fā)光層;
形成在上述基板上、導(dǎo)電的陰極電極。
進(jìn)一步地,所述第一像素界定層的厚度為0.5μm-1μm,所述第二像素界定層的厚度為0.5μm。
進(jìn)一步地,所述第一像素界定層由包含有SiNx的光刻膠形成,所述第二像素界定層由光刻膠形成。
進(jìn)一步地,所述第一像素界定層中,光刻膠與SiNx的質(zhì)量比為10∶1。
進(jìn)一步地,所述第二像素界定層的表面能級(jí)密度為60-120mJ/cm2。
本發(fā)明還提供了一種顯示裝置,包括上述的發(fā)光二極管顯示背板。
本發(fā)明的實(shí)施例具有以下有益效果:
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于京東方科技集團(tuán)股份有限公司,未經(jīng)京東方科技集團(tuán)股份有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買(mǎi)此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201210071397.4/2.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇:一種激光干涉測(cè)距儀
- 下一篇:LED直射式板型燈





