[發明專利]半導體檢測電路及檢測方法有效
| 申請號： | 201210071313.7 | 申請日： | 2012-03-16 |
| 公開（公告）號： | CN103308772A | 公開（公告）日： | 2013-09-18 |
| 發明（設計）人： | 甘正浩;馮軍宏 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司 |
| 主分類號： | G01R27/14 | 分類號： | G01R27/14;G01R31/26 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人： | 駱蘇華 |
| 地址： | 201203 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 檢測 電路 方法 | ||
1.一種半導體檢測電路，其特征在于，包括：
兩個待檢測MOS晶體管，兩個參考MOS晶體管，電流輸入端和電流輸出端；
位于所述電流輸入端和電流輸出端之間的兩條串聯電路，所述兩條串聯電路之間并聯連接；
每一個串聯電路包括一個待檢測MOS晶體管和一個參考MOS晶體管，所述待檢測MOS晶體管和參考MOS晶體管通過源/漏區相連接；
其中一條串聯電路通過待檢測MOS晶體管的源區或漏區與電流輸入端相連接，另一條串聯電路通過參考MOS晶體管的源區或漏區與電流輸入端相連接；
所述待檢測MOS晶體管的溝道區具有應力作用，所述參考MOS晶體管的溝道區不具有應力作用。
2.如權利要求1所述的半導體檢測電路，其特征在于，所述待檢測MOS晶體管和參考MOS晶體管為PMOS晶體管。
3.如權利要求1所述的半導體檢測電路，其特征在于，所述待檢測MOS晶體管和參考MOS晶體管為NMOS晶體管。
4.如權利要求1所述的半導體檢測電路，其特征在于，所述待檢測MOS晶體管和參考MOS晶體管在同一晶圓上形成。
5.如權利要求1所述的半導體檢測電路，其特征在于，所述待檢測MOS晶體管的源/漏區的材料的與半導體襯底的材料具有不同的晶格常數，所述參考MOS晶體管的源/漏區的材料與半導體襯底具有相同的晶格常數。
6.如權利要求1所述的半導體檢測電路，其特征在于，所述待檢測MOS晶體管的柵極結構和/或源漏區的部分或全部表面形成有應力層，所述參考MOS晶體管的表面未形成有應力層。
7.如權利要求1所述的半導體檢測電路，其特征在于，位于不同串聯電路上的待檢測MOS晶體管的形成工藝相同，位于不同串聯電路上的參考MOS晶體管的形成工藝相同。
8.一種利用如權利要求1所述的半導體檢測電路的檢測方法，其特征在于，包括：
在所述電流輸入端和電流輸出端之間施加測試電流；
測量一條串聯電路中待檢測MOS晶體管和參考MOS晶體管之間電壓與另一條串聯電路中待檢測MOS晶體管和參考MOS晶體管之間電壓的電壓差，根據所述電壓差和測試電流值來獲得待檢測MOS晶體管相對于參考MOS晶體管的源漏導通電阻的變化值。
9.如權利要求8所述的檢測方法，其特征在于，所述待檢測MOS晶體管的溝道區具有應力作用，所述參考MOS晶體管的溝道區不具有應力作用。
10.如權利要求9所述的檢測方法，其特征在于，所述源漏導通電阻的變化值表征溝道區具有應力作用對MOS晶體管的源漏導通電阻的影響。
11.如權利要求8所述的檢測方法，其特征在于，所述電阻變化值與電壓差和測試電流值的關系式為：ΔR＝2*ΔV/I，其中，ΔR為源漏導通電阻變化值，ΔV為電壓差，I為測試電流值。
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