[發明專利]圖案化垂直磁記錄介質和磁記錄盤、以及磁記錄盤驅動器

無效

• 申請號: 201210070782.7
• 申請日: 2012-03-16
• 公開（公告）號: CN102682790A
• 公開（公告）日: 2012-09-19
• 發明（設計）人: O.赫爾威格;E.E.馬里尼羅;D.K.韋勒
• 申請（專利權）人: 日立環球儲存科技荷蘭有限公司
• 主分類號: G11B5/82
• 分類號: G11B5/82
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 李昕巍

1.一種圖案化垂直磁記錄介質，包括：

襯底；

平坦化層，在該襯底上；

非磁含Ru襯層，在該平坦化層上；

包括鈷和鉑的合金的垂直磁記錄層；以及

氧化物膜，在該含Ru層和該磁記錄層之間，

其中該磁記錄層被圖案化成多個離散的島。

2.如權利要求1所述的介質，其中該氧化物膜包括選自鉭氧化物、鈷氧化物和鈦氧化物的氧化物。

3.如權利要求1所述的介質，其中該氧化物膜具有小于1.5nm的厚度。

4.如權利要求3所述的介質，其中該氧化物膜是該含Ru層上的氧化物團簇的不連續膜，由此該磁記錄層接觸該含Ru層和該氧化物團簇。

5.如權利要求1所述的介質，其中該平坦化層包括合金，該合金包括Ni和Ta。

6.如權利要求5所述的介質，其中NiTa合金平坦化層具有大于20nm的厚度。

7.如權利要求1所述的介質，還包括在該平坦化層上且在該含Ru襯層下面并接觸該含Ru襯層的NiW合金籽層。

8.如權利要求1所述的介質，其中該磁記錄層合金是無氧化物的合金。

9.如權利要求1所述的介質，其中該磁記錄層合金還包括Cr。

10.如權利要求1所述的介質，還包括在該襯底上、在該平坦化層下面的軟磁導磁材料的軟磁襯層(SUL)。

11.如權利要求10所述的介質，其中該平坦化層包括具有大于或等于2nm且小于或等于10nm的厚度的包括Ni和Ta的合金。

12.如權利要求10所述的介質，其中該SUL由選自包括合金CoFe、CoNiFe、NiFe、FeCoB、CoCuFe、FeAlSi、FeTaN、FeN、FeTaC、CoTaZr和CoZrNb的組的材料形成。

13.如權利要求10所述的介質，其中該SUL是通過非磁膜分隔開的多個導磁膜的疊層。

14.如權利要求13所述的介質，其中該疊層中的非磁膜提供該疊層中的導磁膜的反鐵磁耦合。

15.如權利要求1所述的介質，其中該介質是磁記錄盤，且其中該島在該襯底上布置成多個基本同心的圓形道。

16.一種磁記錄盤驅動器，包括：

如權利要求15的盤；

寫頭，用于磁化所述島中的垂直磁記錄層；以及

讀頭，用于讀取所述島中被磁化的記錄層。

17.一種熱輔助記錄(TAR)磁記錄盤驅動器，包括：

如權利要求15的盤，還包括在該襯底和該島之間的熱沉層；

寫頭，用于施加磁場到所述島中的垂直磁記錄層；

光學數據通道和近場換能器，用于引導輻射到所述島以加熱所述島中的垂直磁記錄層；以及

讀頭，用于讀取所述島中的被磁化的記錄層。

18.一種圖案化垂直磁記錄盤，包括：

襯底；

在該襯底上的平坦化層，包括合金，該合金包括Ni和Ta；

在該平坦化層上的非磁的含Ru襯層；

包括鈷和鉑的無氧化物合金的垂直磁記錄層；以及

在該含Ru層和該磁記錄層之間的氧化物膜，該氧化物膜包括選自Ta氧化物、Co氧化物和Ti氧化物的氧化物且具有小于或等于1.5nm的厚度，

其中該垂直磁記錄層被圖案化成以多個同心道布置的多個離散的島。

19.如權利要求18所述的盤，其中該氧化物膜是在該含Ru層上的氧化物團簇的不連續膜，從而該磁記錄層接觸該含Ru層和該氧化物團簇。

20.如權利要求18所述的盤，還包括在該平坦化層上、在該含Ru襯層下面且接觸該含Ru襯層的NiW合金籽層。

21.如權利要求18所述的盤，其中NiTa合金平坦化層具有大于20nm的厚度。

22.如權利要求18所述的盤，還包括在該襯底上、在該平坦化層下面的軟磁導磁材料的軟磁襯層(SUL)，且其中NiTa合金平坦化層具有大于或等于2nm且小于或等于10nm的厚度。