[發明專利]半導體裝置及其制造方法

無效

• 申請號: 201210070135.6
• 申請日: 2012-03-16
• 公開（公告）號: CN103000690A
• 公開（公告）日: 2013-03-27
• 發明（設計）人: 小林仁
• 申請（專利權）人: 株式會社東芝
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 戚宏梅;楊謙

1.一種半導體裝置，其中，具備：

第一導電型的半導體層；

第二導電型的第一半導體區域，設置在所述半導體層之上；

第一導電型的第二半導體區域，選擇性地設置在所述第一半導體區域的表面；

第一控制電極，在溝槽的內部隔著絕緣膜與所述第一半導體區域及所述第二半導體區域對置，該溝槽貫穿所述第一半導體區域而到達所述半導體層，其底面位于比所述第一半導體區域深的位置；

第二控制電極，朝向所述溝槽的所述底面延伸，位于比所述第一控制電極靠近所述底面側的位置；

第一主電極，與所述第一半導體區域和所述第二半導體區域電連接；以及

第二主電極，與所述半導體層電連接，

所述半導體層具有第一部分，該第一部分設置在所述第一半導體區域的端部與所述第二控制電極的位于所述底面側的端部之間的深度處，與所述半導體層的其他部分相比第一導電型的載流子濃度低。

2.如權利要求1所述的半導體裝置，其中，

所述第一部分含有濃度比所述半導體層所含的第一導電型雜質低的第二導電型雜質。

3.如權利要求2所述的半導體裝置，其中，

所述半導體層是n型硅層，所述第一部分含有作為p型雜質的硼。

4.如權利要求1所述的半導體裝置，

所述第一控制電極的位于所述溝槽的所述底面側的端部設置在比所述第一半導體區域深的位置，

所述第一部分所含的所述第二導電型雜質在與所述第一控制電極的位于所述底面側的端部相同的深度處具有濃度峰值。

5.如權利要求1所述的半導體裝置，其中，

所述第一控制電極的位于所述溝槽的所述底面側的端部設置在比所述第一半導體區域深的位置，

所述第一部分設置在所述第一控制電極的位于所述底面側的端部與所述第二控制電極的位于所述底面側的端部之間。

6.如權利要求1所述的半導體裝置，其中，

所述半導體層還具有第二部分，該第二部分是將所述溝槽的底部包圍的所述半導體層的一部分，與除所述第一部分之外的所述半導體層的其他部分相比第一導電型的載流子濃度低。

7.如權利要求6所述的半導體裝置，其中，

所述第二部分含有濃度比所述半導體層所含的第一導電型雜質低的第二導電型雜質。

8.如權利要求7所述的半導體裝置，其中，

所述半導體層是n型硅層，所述第二部分含有作為p型雜質的硼。

9.如權利要求1所述的半導體裝置，其中，

所述第一部分與所述半導體層的其他部分相比第一導電型雜質濃度低。

10.如權利要求1所述的半導體裝置，其中，

所述溝槽的內部具備2個所述第一控制電極，

所述第二控制電極在2個所述第一控制電極之間延伸。

11.如權利要求1所述的半導體裝置，其中，

所述第二控制電極設置在所述第一控制電極與所述溝槽的底面之間。

12.如權利要求1所述的半導體裝置，其中，

還具有第二導電型的第三半導體區域，該第二導電型的第三半導體區域選擇性地設置在所述第一半導體區域的表面，

所述第一主電極經由所述第三半導體區域與所述第一半導體區域電連接。

13.如權利要求1所述的半導體裝置，其中，

還具有如下的層，該層與所述半導體層的所述第一半導體區域相反側的面接觸，并且含有濃度比所述半導體層高的第一導電型雜質，

所述第二主電極經由所述層與所述半導體層電連接。